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臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)

2025-06-20

產(chǎn)      地:
暫無
所在地區(qū):
北京北京市
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品牌:Nanyte

產(chǎn)地:新加坡


NANYTE BEAM 臺(tái)式無掩模光刻系統(tǒng)Maskless lithography System/桌面型激光直寫系統(tǒng)Direct Laser Writing System加工處理微納米級(jí)的結(jié)構(gòu)圖案,無需昂貴的掩膜,通過聚焦激光束掃描對(duì)基片表面的光刻膠直接進(jìn)行變劑量曝光,實(shí)現(xiàn)微米至納米尺度的圖案加工。在確保其優(yōu)異性能的同時(shí),小型化設(shè)計(jì)使得操作更為便捷,且實(shí)現(xiàn)快速加工處理,不但提高了微納米器件科研和生產(chǎn)的效率,還有效的節(jié)省了成本。


臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)


光束引擎將紫外激光束聚焦到衍射極限點(diǎn),通過該聚焦點(diǎn)依照設(shè)計(jì)好的圖案掃描對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光;同時(shí),針對(duì)大尺寸晶圓/基片,通過精密步進(jìn)器移動(dòng)晶圓/基片進(jìn)行多次曝光,接著縫合多次曝光圖案,完成對(duì)整個(gè)晶圓/基片的微納米圖案加工。該光束引擎能夠在6英寸晶圓上加工小于500nm的特征線寬。


lCompact.

-緊湊式全功能無掩膜光刻機(jī)

lPowerful.

-小于500nm特征線寬處理

-實(shí)現(xiàn)2秒內(nèi)完成單個(gè)區(qū)域圖案曝光

-加工尺寸150mmX150mm

lUltrafast autofocus.

-實(shí)現(xiàn)1秒內(nèi)完成聚焦

-壓電驅(qū)動(dòng)器配合閉環(huán)聚焦光學(xué)控制

lNo-fuss multilayer.

-幾分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)



臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)


軟件控制界面:

-軟件界面人性化設(shè)計(jì),WASD導(dǎo)航,右鍵點(diǎn)擊任何地方即可到達(dá)

-自動(dòng)圖像識(shí)別

-幾分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)多層對(duì)準(zhǔn)

-幾秒鐘內(nèi)在光刻膠上曝光任何圖案或書寫任何文字

-只需加載、對(duì)準(zhǔn)和曝光

-類似CNC導(dǎo)航操作

-多層曝光時(shí),GDS圖案可視化;軟件會(huì)加載GDS小地圖,一鍵導(dǎo)航到晶圓上任何區(qū)域



臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)


應(yīng)用實(shí)例:


臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)

硅襯底上圖案陣列,每個(gè)單元為50×63μm,

相鄰圖案之間的間距為3μm

光刻膠:AZ5214E


臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)

開環(huán)諧振器陣列, 右側(cè)離距離1.5μm

左側(cè)的分離距離為2μm,外圈直徑為80μm


臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)

交叉電容器 (IDCs) ,2 μm柵線寬度

光刻膠: AZ5214E


臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)

金屬化開環(huán)非對(duì)稱諧振器


臺(tái)式 無掩膜光刻系統(tǒng)

0.8μm錐形部分,側(cè)面20?90μm接觸電極

光刻膠:AZ5214E


應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 光子學(xué)領(lǐng)域:用于制造光子晶體、波導(dǎo)、微透鏡、衍射光學(xué)元件等,這些元件在光通信、光計(jì)算、光學(xué)成像等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。例如,制造具有特定光學(xué)性能的微透鏡陣列,可用于成像系統(tǒng)、光傳感器等設(shè)備中,提高其性能和集成度。

  • 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域:可用于制備組織工程支架、微流控芯片、生物傳感器等。

  • 微電子學(xué)領(lǐng)域:在集成電路制造中,用于制作掩模、光刻膠圖案等,特別是對(duì)于小批量、高精度的集成電路芯片制造,激光直寫技術(shù)具有成本低、靈活性高的優(yōu)勢(shì)。此外,還可用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件,如微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微傳感器、微執(zhí)行器等。









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