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PEARD系統(tǒng)
SENTECH SILAYO是一種用于光學鍍膜的等離子體增強原子層沉積（PEALD）系統(tǒng)，擴展了SENTECH PECVD和ALD產品組合。SENTECH SI...
型號： SENTECH S... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 17:40:01 對比

原子層沉積ALD
PEALD 系統(tǒng)
SENTECH True Remote CCP 源可在低溫下對敏感基材和層進行均勻和保形涂層。在樣品表面提供高通量的反應性氣體種類，而沒有紫外線輻射或離子轟擊。...
型號： SI PEALD 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 17:35:37 對比

PEALD
ICPECVD 系統(tǒng)
電感耦合等離子體（ICP）沉積系統(tǒng)，SENTECH SI 500 D 用于介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及用于鈍化層的低損傷、低溫沉積。S...
型號： SI 500 D 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 17:31:28 對比

電感耦合等離子體（ICP）沉積系統(tǒng)
等離子增強化學氣相沉積
PlasmaPro 100 Nano用于生長1D / 2D納米材料和異質結構的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過在線催化劑活...
型號： PlasmaPro... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 17:20:43 對比

薄膜生長
原子層沉積（ALD）
FlexAL系統(tǒng)可提供遠程等離子體原子層沉積（ALD），這為納米結構和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。ALD產品家族涵蓋的系列設備可以滿足學術界、...
型號： FlexAL 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 16:13:14 對比

原子層沉積（ALD）
ICPCVD
PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)...
型號： PlasmaPro... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 16:11:24 對比

ICPCVD 刻蝕沉積
枚葉式等離子CVD設備
枚葉式等離子CVD設備CMD系列CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式CVD設備。
型號： CMD系列所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 14:43:22 對比

枚葉式等離子CVD設備鍍膜設備 CMD系列
Load-lock式Plasma CVD設備
Load-lock式Plasma CVD設備 CC-200/400Load-lock式Plasma CVD設備CC-200/400是小型的使用便利的可對應從研究...
型號： CC-200/40... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 14:41:21 對比

CC-200/400 Load-lock式Plasma CVD設備鍍膜設備
枚葉式PECVD設備
枚葉式PECVD設備CME-200E/400枚葉式PE-CVD設備CME-200E/400是適用于Si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產用PECVD設備。
型號： CME-200E/... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 14:39:08 對比

枚葉式PECVD設備鍍膜設備
縱向式Cat-CVD設備
縱向式Cat-CVD設備CCV系列CCV Series是a-Si鍍膜用的縱向式CVD設備。有30年以上的量產實績。在各個chamber通過低壓鍍膜，得到高品質的...
型號： CCV系列所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 14:37:06 對比

縱向式Cat-CVD設備 CCV系列鍍膜設備
等離子體增強CVD系統(tǒng)
PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏...
型號： PD-100ST 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:34:50 對比

等離子體增強CVD系統(tǒng)PD-100ST 化學氣相沉積 SAMCO
等離子體增強CVD系統(tǒng)
PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產。Samco的液態(tài)源CVD...
型號： PD-330STC 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:33:16 對比

等離子體增強CVD系統(tǒng)PD-330STC 化學氣相沉積 SAMCO
等離子體增強CVD系統(tǒng)
PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產。Samco的液態(tài)源CV...
型號： PD-270STL... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:31:14 對比

等離子體增強CVD系統(tǒng)化學氣相沉積 PD-270STLC SAMCO
等離子體增強型CVD系統(tǒng)
PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液...
型號： PD-200STL 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:29:38 對比

等離子體增強型CVD系統(tǒng)PD-200STL 化學氣相沉積 SAMCO
化學氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)
PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)...
型號： PD-220N 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:27:42 對比

化學氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)PD-220N SAMCO
化學氣相沉積系統(tǒng)
PD-3800L 化學氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大...
型號： PD-3800L 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:25:57 對比

化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)PD-3800L SAMCO
化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積...
型號： PD-220NL 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:24:20 對比

化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)PD-220NL SAMCO
無針孔薄膜沉積設備
AL-1無針孔薄膜沉積設備通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量...
型號： AL-1 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:21:55 對比

AL-1 無針孔薄膜沉積設備 SAMCO
化學氣相沉積 (PECVD) 設備
PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提...
型號： PD-2201LC 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:20:17 對比

PD-2201LC 化學氣相沉積 (PECVD) 設備 SAMCO
高密度等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
Orion Proxima 高密度等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)。
型號： Orion Pro... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:00:36 對比

Orion Proxima 高密度等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)

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