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部件鍍膜設(shè)備
部件鍍膜設(shè)備實(shí)現(xiàn)高大量生產(chǎn)率的高真空基礎(chǔ)In-line Sputter
型號(hào)： Batch Typ... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 13:55:15 對(duì)比

鍍膜部件鍍膜設(shè)備 Batch Type
薄膜沉積鍍膜系統(tǒng)
薄膜沉積鍍膜系統(tǒng)Automotive Lamp Reflector是為了在汽車(chē)用HEAD LAMP部分提高AL的附著性,用Plasma,AL Sputter,C...
型號(hào)： Automotiv... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 13:15:09 對(duì)比

CVD Automotive Lamp Reflector 韓國(guó)真空/IOKOVA
原子層沉積ALD
Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，專(zhuān)為入門(mén)級(jí)到中級(jí)用戶(hù)而...
型號(hào)： ALD-150LE... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 13:03:33 對(duì)比

ALD-150LE™原子層沉積ALD KURT.J.LESKER
原子層沉積ALD
Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LX™是一種原子層沉積ALD 系統(tǒng)，專(zhuān)為高級(jí)研發(fā) （R&D）應(yīng)用而設(shè)計(jì)。創(chuàng)...
型號(hào)： ALD-150LX... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 13:01:42 對(duì)比

原子層沉積ALD ALD-150LX™KURT.J.LESKER
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積MOCVD
Veeco 的 EPIK® 868 是 LED 業(yè)界最高性能的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)MOCVD，可實(shí)現(xiàn)出色的均勻性和可重復(fù)性，以及低缺陷率。Vee...
型號(hào)： TurboDisc... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 11:20:01 對(duì)比

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 MOCVD
金屬化學(xué)氣相沉積MOCVD
用于 5G、光子學(xué)和 CMOS 的 Propel 300mm GaN MOCVD 系統(tǒng)全自動(dòng)單晶圓簇系統(tǒng)可在 300 毫米基板上生產(chǎn) 5G 射頻、光子學(xué)和高級(jí) ...
型號(hào)： Propel 30... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 11:07:25 對(duì)比

金屬化學(xué)氣相沉積 MOCVD
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積
Propel HVM GaN MOCVD 系統(tǒng)，用于電源、5G 射頻和光子學(xué)，單晶圓反應(yīng)器技術(shù)為電源、5G 射頻和光子學(xué)應(yīng)用提供高效、高質(zhì)量的氮化鎵基器件
型號(hào)： Propel HV... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 11:03:27 對(duì)比

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 MOCVD
原子層沉積ALD
用于電池、太陽(yáng)能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。
型號(hào)： Genesis A... 所在地：芬蘭參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 10:59:14 對(duì)比

ALD Beneq 原子層沉積半導(dǎo)體
原子層沉積ALD
Beneq TFS 200 是有史以來(lái)最靈活的原子層沉積研究平臺(tái)，專(zhuān)為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)。Beneq TFS 200 經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，可最大限度地減少多用戶(hù)...
型號(hào)： Beneq TFS... 所在地：芬蘭參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 10:53:35 對(duì)比

Beneq ALD 原子層沉積半導(dǎo)體
原子層沉積ALD
Beneq P1500 是我們最大的原子層沉積系統(tǒng)，專(zhuān)門(mén)用于涂覆大型板材和復(fù)雜零件。它還用于為較小組件的批次提供更高的吞吐量。我們的客戶(hù)將 P1500 用于大直...
型號(hào)： Beneq P15... 所在地：芬蘭參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 10:49:10 對(duì)比

ALD 原子層沉積半導(dǎo)體 Beneq
原子層沉積ALD
Beneq P800 專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于涂覆復(fù)雜形狀的大零件或大批量的小零件。我們的客戶(hù)將 P800 用于光學(xué)鍍膜、半導(dǎo)體設(shè)備部件的防腐鍍膜，以及在玻璃或金屬板上使用...
型號(hào)： Beneq P80... 所在地：芬蘭參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 10:40:45 對(duì)比

ALD 原子層沉積
原子層沉積ALD
Beneq P400A 專(zhuān)為以?xún)?yōu)化的批量大小涂覆不同類(lèi)型的基材而設(shè)計(jì) - 足夠大以提供顯著的容量，但又足夠小以在批次和較短的循環(huán)時(shí)間內(nèi)保持出色的均勻性。我們的客...
型號(hào)： Beneq P40... 所在地：芬蘭參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 10:38:45 對(duì)比

原子層沉積 ALD 半導(dǎo)體
等離子體沉積ALD
等離子體沉積ALD AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過(guò)表面反應(yīng)進(jìn)行薄膜沉積...
型號(hào)： AD-230LP 所在地：日本參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 9:38:34 對(duì)比

SAMCO 等離子體沉積等離子體沉積ALD AD-230LP
ICP沉積系統(tǒng)
SENTECH SIPAR ICP沉積系統(tǒng)是為使用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)的各種沉積模式和工藝開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)的。該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極...
型號(hào)： SENTECH S... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 9:29:05 對(duì)比

沉積系統(tǒng)ICP ALD PECVD SENTECH
開(kāi)蓋等離子體沉積系統(tǒng)PECVD
SENTECH Depolab 200 是基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)，適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。
型號(hào)： SENTECH D... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 9:24:35 對(duì)比

PECVD SENTECH 化學(xué)氣相沉積
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
提供大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案，LED工業(yè)要求高產(chǎn)量，高器件質(zhì)量和低購(gòu)置成本。 PlasmaPro 1000更好地解決了這些需求。
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 7:39:32 對(duì)比

牛津 PECVD
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快...
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 7:37:08 對(duì)比

牛津 PECVD
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
PlasmaPro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開(kāi)放式裝載系統(tǒng)?？?..
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 7:35:07 對(duì)比

牛津 PECVD 等離子增強(qiáng)
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。PlasmaPro 100 ...
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 7:33:35 對(duì)比

PECVD 化學(xué)氣相沉積牛津
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積ICPCVD
該ICPCVD工藝模塊設(shè)計(jì)用于在低生長(zhǎng)溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過(guò)高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板損傷。
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/6/6 7:29:37 對(duì)比

ICPCVD 薄膜沉積等離子體低溫生長(zhǎng)

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