在不同測試環(huán)境、不同溫度條件下可對微結構半導體器件、微電子器件及材料進行電學特性表征測試?？梢詫Σ牧匣蚱骷M行電學特性測量、光電特性測量、參數測量、高阻測量、DC測量、RF測量和微波特性測量，廣泛應用于半導體工業(yè)（芯片、晶圓片、封裝器件）、MEMS、超導、電子學、物理學和材料學等領域。

　　

　　高低溫半自動探針臺在以下兩個應用需要真空測試環(huán)境：

　　1、低溫測試：

　　因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結在晶圓上，會導致漏電過大或者探針無法接觸電而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。

　　

　　2、高溫無氧化測試：

　　當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時，氧化現象會越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴重。過度氧化會導致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。

　　晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現象，定位好的探針與器件電間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，SEMISHARE針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調整探針的位置。