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碳化硅半絕緣片電阻率測試

時間:2025/4/12閱讀:432
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半絕緣碳化硅與導(dǎo)電性碳化硅在電特性和應(yīng)用領(lǐng)域上差異顯著。半絕緣碳化硅,作為一種電阻率較高的材料,其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm,非常適用于高溫、高電壓環(huán)境,如電力電子設(shè)備和電動汽車部件。而導(dǎo)電性碳化硅,電阻率低,位于10^-3-10^-2Ω.cm之間,更適合低壓、高電流場景,如功率半導(dǎo)體和射頻電子器件。此外,由于成分和制備工藝的差異,導(dǎo)電性碳化硅的成本相對較高,而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此,在選擇材料時,需根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來決定:高溫高壓選半絕緣,低壓高流選導(dǎo)電,以確保最佳性能和成本效益。半絕緣型碳化硅襯底的制備關(guān)鍵在于去除晶體中的雜質(zhì),特別是淺能級雜質(zhì),以實現(xiàn)高電阻率。在高溫條件下,PVT法制備碳化硅襯底時,碳化硅粉料和石墨材料等會釋放出雜質(zhì)并生長進(jìn)入晶體,影響晶體的純度和電學(xué)性能。企業(yè)已將半絕緣型碳化硅襯底的電阻率穩(wěn)定控制在108Ω·cm以上

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