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當(dāng)前位置：九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司>>產(chǎn)品展示>>晶圓方阻測(cè)試儀>>晶圓電阻率測(cè)試儀
半導(dǎo)體材料根據(jù)時(shí)間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料，其特點(diǎn)為開關(guān)便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體，主要用于發(fā)光及通訊...
襯底電阻率方阻測(cè)試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用來(lái)支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、...
晶圓電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長(zhǎng)度，...
主營(yíng)產(chǎn)品：晶圓方阻測(cè)試儀、晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，測(cè)試硅片，碳化硅、科...
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