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NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)...

NTE-3500（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點。具有...

NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及...

NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝...

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋...

NPE-4000（M）PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電...

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或...

NSC-4000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：立式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺，Z大可支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達到到8“旋轉(zhuǎn)平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達1...

NSC-3500（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：立式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉(zhuǎn)平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉(zhuǎn)平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-...

NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉(zhuǎn)平臺，支持到2個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 T...

NSC-4000Sputter磁控濺射鍍膜機：*進的全自動濺射系統(tǒng)帶有水冷或者加熱（可加熱至700度）功能；8“旋轉(zhuǎn)樣平臺,可支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套...