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沉積系統(tǒng): Parylene派瑞林真空鍍膜系統(tǒng) 進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī) TE熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) E-Beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 磁控濺射系統(tǒng) PECVD等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) PLD脈沖激光沉積

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微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 10:54:07 對(duì)比

等離子化學(xué)氣相沉積微波PECVD進(jìn)口微波PECVD
全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片...

型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:03:44 對(duì)比

進(jìn)口全自動(dòng)ICPECVDICP PECVD
ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片...

型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:01:22 對(duì)比

進(jìn)口ICPECVDICPPECVD
全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋...

型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:59:11 對(duì)比

進(jìn)口PECVD進(jìn)口全自動(dòng)PECVD等離子化學(xué)氣相沉
NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:57:07 對(duì)比

進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:55:15 對(duì)比

進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:53:32 對(duì)比

進(jìn)口PECVD臺(tái)式PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉

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