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詳細(xì)摘要： Antimony triselenide is the chemical compound with the formula Sb2Se3 which crys...

詳細(xì)摘要： Zirconium triselenide belongs to the group-IV transition metal trichalcogenides.

詳細(xì)摘要： Environmentally stable 2H-TaSe2 crystals have been synthesized at our facilities...

詳細(xì)摘要： Our TiSe2 crystals are stabilized in 2H-phase （CDW metallic phase）.

詳細(xì)摘要： 氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積（平方米/克）：500 ~ 700電導(dǎo)率（S/m） 1000（其特征...

詳細(xì)摘要： 工業(yè)級石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~ 600電阻率（Ω?c...

詳細(xì)摘要： 羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99%

詳細(xì)摘要： 單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0.8~1....

詳細(xì)摘要： 氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm比...

詳細(xì)摘要： 硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.640 nm...

詳細(xì)摘要： 氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm比表...

詳細(xì)摘要： 硫化鍺晶體 GeS（Germanium Sulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 1.450, b = 0.364...

詳細(xì)摘要： 二硫化鉿晶體 HfS2 （Hafnium Disulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.363 nm, ...

詳細(xì)摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

詳細(xì)摘要： 二硫化鉬晶體（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~10mm-20mm純度：99%屬性：半導(dǎo)體

詳細(xì)摘要： Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

詳細(xì)摘要： 二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)...

詳細(xì)摘要： 二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：P型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)...

詳細(xì)摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

詳細(xì)摘要： 大尺寸二硫化鉬晶體（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶體尺寸：~10毫米- 15毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞...