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詳細(xì)摘要： 石墨片（進(jìn)口/10~20mm） Graphite Flake flake size: 10~20mm

詳細(xì)摘要： 二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細(xì)摘要： 石墨片（進(jìn)口/20~25mm） Graphite Flake flake size: 20~25mm

詳細(xì)摘要： High purtiy graphite （HOPG） crystals have been I2 （iodine） intercalated to achie...

詳細(xì)摘要： High purtiy graphite （HOPG） crystals have been Br2 （bromine） intercalated to ach...

詳細(xì)摘要： 二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3...

詳細(xì)摘要： 硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InS...

詳細(xì)摘要： 二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,...

詳細(xì)摘要： 硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTe...

詳細(xì)摘要： 三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,G...

詳細(xì)摘要： Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimi...

詳細(xì)摘要： World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are developed a...

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細(xì)摘要： 單壁碳納米管-標(biāo)準(zhǔn)版 TUBALL Carbon Nanotubes碳含量（wt.%）：85 （評(píng)價(jià)方法：TGA, EDX）CNT（wt.%）：≥75（評(píng)價(jià)方法...

詳細(xì)摘要： Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly crys...

詳細(xì)摘要： 單壁碳納米管-定制版（1kg） TUBALL Carbon Nanotubes碳含量（wt.%）96 （評(píng)價(jià)方法：TGA）CNT（wt.%）：85 （評(píng)價(jià)方法：...

詳細(xì)摘要： Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material remains l...

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細(xì)摘要： 有序介孔碳-cmk-3 Ordered mesoporous carbon cmk-3類型：bet1000比表面積（平方米/克）：1000孔徑（納米）：5.57...

詳細(xì)摘要： High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type d...