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詳細摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

詳細摘要： 二硫化鎢鉬晶體 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy）晶體尺寸：~6毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：...

詳細摘要： 制備方法：層間催化裂解法厚度：1~5nm直徑：~5um比表面積：90-130 m2/g外觀：黑色粉末制備方法：層間催化裂解法 厚度：1~5nm直徑：~5um比表...

詳細摘要： 二硫化鈮晶體 3R-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：4毫米電學性能：金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.330 nm, c...

詳細摘要： 二硫化鉛錫晶體 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~8mm純度：99.995%屬性：半導體

詳細摘要： 二硫化錸晶體 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶晶體尺寸：~8毫米電學性能：N型半導體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.63...

詳細摘要： 制備方法：層間催化裂解法厚度：~2nm直徑：5~10um純度：98%含氧量：1.44%電導率：~2597 s/cm

詳細摘要： 二硫化錫晶體 2H-SnS2（Tin Sulfide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半導體（~ 2.2ev）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.364,...

詳細摘要： Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

詳細摘要： 二硫化鉭晶體（1T） TaS2（Tantalum Sulfide） -1T晶體尺寸：~8毫米電學性能：半導體，電荷密度波（CDW），Mott相晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶...

詳細摘要： 二硫化鉭晶體（2H） TaS2（Tantalum Sulfide） -2H晶體尺寸：~10毫米電學性能：Metal, Charge density waves ...

詳細摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

詳細摘要： 二硫化鈦晶體 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸:~10毫米電學性能：半金屬，逆磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =...

詳細摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

詳細摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

詳細摘要： 二硫化鎢晶體 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電學性能：N型半導體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

詳細摘要： 硫鹽礦物晶體 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：合成尺寸：~8mm純度：99...

詳細摘要： Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes ...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶體類型...