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京都玉崎介紹CMP設(shè)備原理
我們將解釋CMP設(shè)備的工作原理。 CMP設(shè)備通常一次高速加工許多硅片，因此通常是大型設(shè)備。其組成部分包括旋轉(zhuǎn)臺、施加化學物質(zhì)的噴嘴和砂紙拋光部分等。此外，還有用于傳送硅片的機器人、拋光后的清潔部分和檢測部分等。
基本操作是從噴嘴將化學溶液或化學品噴射到硅片上，將砂紙等壓在硅片上，并通過高速旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)臺進行拋光。化學拋光目標包括氧化膜、鎢布線和銅布線。在氧化膜的情況下，將氧化膜溶解在堿性溶液中并用相同組成的氧化硅進行拋光。對于鎢布線來說，鎢表面經(jīng)過氧化，表面用氧化硅拋光。對于銅布線，將銅氧化后，制成復合物，并用氧化硅進行拋光。
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