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碳化硅高溫氧化爐
VERIC A6151A 碳化硅高溫氧化爐，適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設備,最高溫度 2000℃，升溫速率可達 100℃/min,石墨電阻加熱，工藝腔室潔...
型號： VERIC A61... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:41:11 對比

VERIC A6151A 碳化硅高溫氧化爐退火爐北方華創(chuàng)
擴散/氧化系統(tǒng)
HORIC D200系列擴散/氧化系統(tǒng)，半導體客戶端機臺裝機量大,可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺,安全性能高：設備及所使用的元件符合國標和國際標準。
型號： HORIC D20... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:39:11 對比

HORIC D200系列擴散/氧化系統(tǒng)北方華創(chuàng)
臥式 LPCVD 氣相沉積系統(tǒng)
HORIC L200 系列臥式 LPCVD氣相沉積系統(tǒng)，半導體客戶端機臺裝機量大,可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺.可提供優(yōu)良成熟的 MES 系統(tǒng)解決方案....
型號： HORIC L20... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:37:14 對比

HORIC L200 系列臥式 LPCVD 系統(tǒng)氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)
熱原子層沉積系統(tǒng)
Scaler HK430 熱原子層沉積系統(tǒng)，填孔能力以及良好的薄膜均勻性,腔室結構設計，具備良好的防酸腐蝕能力。
型號： Scaler HK... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:35:34 對比

熱原子層沉積系統(tǒng)Scaler HK430 北方華創(chuàng)
等離子化學氣相沉積系統(tǒng)
EPEE系列等離子化學氣相沉積系統(tǒng)單片和多片式架構，滿足量產和研發(fā)客戶需求高效遠程等離子體清洗系統(tǒng)，優(yōu)異的顆?？刂?滿足量產和研發(fā)客戶需求.
型號： EPEE系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:33:56 對比

EPEE系列等離子化學氣相沉積系統(tǒng)
8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)
eVictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)，加熱基座設計，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續(xù)作業(yè)無累溫。
型號： eVictor系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:32:04 對比

eVictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)
CCP介質刻蝕機
NMC 508系列 CCP介質刻蝕機，多頻解耦設計，實現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質刻蝕。
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:29:43 對比

CCP介質刻蝕機 NMC 508系列北方華創(chuàng)
多功能刻蝕機
GSE C200 多功能刻蝕機等離子體源設計，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰?、易維護、性能穩(wěn)定...
型號： GSE C200 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:27:24 對比

多功能刻蝕機 GSE C200 北方華創(chuàng)
電阻式碳化硅長晶爐
AGF系列電阻式碳化硅長晶爐，適用于 6、8 英寸，導電 / 高純半絕緣型 SiC 晶體生長。
型號： AGF系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:25:50 對比

電阻式碳化硅長晶爐 AGF系列北方華創(chuàng)
感應式碳化硅長晶爐
APS系列感應式碳化硅長晶爐，適用于 6 英寸、8 英寸，導電 / 高純半絕緣型 SiC 晶體生長。
型號： APS系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:23:41 對比

感應式碳化硅長晶爐 APS系列
碳化硅快速熱退火系統(tǒng)
Pallas A220 碳化硅快速熱退火系統(tǒng)，加熱分區(qū)設計，具備良好的溫度均勻性。
型號： Pallas A2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:21:38 對比

Pallas A220 碳化硅快速熱退火系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸單片快速熱退火系統(tǒng)
Sitara TA230A 12英寸單片快速熱退火系統(tǒng)，適用于 260-1200℃快速熱處理工藝。
型號： Sitara TA... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:19:54 對比

12英寸單片快速熱退火系統(tǒng)Sitara TA230A 北方華創(chuàng)
多片碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE120 多片碳化硅外延系統(tǒng)，產能大，6 英寸運營成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:17:39 對比

多片碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE120
碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE115碳化硅外延系統(tǒng)主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術路線，應用優(yōu)良的控溫、控壓算法和專業(yè)的進氣、混流結構，使得整個外延工藝過...
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:15:38 對比

碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE115
多片式MOCVD系統(tǒng)
Satur系列多片式MOCVD系統(tǒng)，優(yōu)異的均勻性、一致性、穩(wěn)定性控制，MOCVD 即金屬有機物化學氣相沉積，是一種用于生長化合物半導體薄膜的技術。它通過將Ⅲ族...
型號： Satur系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:13:24 對比

Satur系列多片式MOCVD系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設計提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper I ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:10:59 對比

Hesper I E430R 外延系統(tǒng)
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)
Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設計提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper E2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:08:41 對比

單片常壓硅外延系統(tǒng)Hesper E230A 單片常壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)
Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補償，溫場均勻可控。
型號： Hesper Ⅱ ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:07:04 對比

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)減壓選擇性外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)
Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)，傳輸系統(tǒng)和工藝模塊設計可兼容多種工藝用途，友好的人機交互和安全性設計保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效，具有...
型號： Esther/Er... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:05:30 對比

Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
8英寸多片硅外延系統(tǒng)
SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅外延設備，適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝。SES系列反應腔室采用多片平板式的結構，配合感應加熱的方式實現(xiàn)高質...
型號： SES系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:03:37 對比

SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)多片硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)

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