三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備 參考價(jià)：60000
三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的...
PECVD氣相沉積 參考價(jià)：60000
PECVD氣相沉積（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造等眾多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：60000
CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等...
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：60000
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等...
全自動(dòng)CVD滑軌爐 參考價(jià)：50000
全自動(dòng)CVD滑軌爐系統(tǒng)由雙溫區(qū)滑軌爐、質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)三部分組成。雙溫區(qū)滑軌爐可移動(dòng)并可實(shí)現(xiàn)快速升降溫；四路質(zhì)子流量計(jì)能夠準(zhǔn)確控制系統(tǒng)的供氣；真空泵可...
1200℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：50000
1200℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐和三路浮子流量計(jì)組成。由精密控溫儀表進(jìn)行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時(shí)有過熱和斷偶保護(hù)功能。爐管兩側(cè)...
三溫區(qū)1600 CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：50000
該三溫區(qū)1600 CVD系統(tǒng)主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護(hù)性燒結(jié)、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實(shí)驗(yàn)
1700℃兩路浮子供氣氫氣還原CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：50000
1700℃兩路浮子供氣氫氣還原CVD系統(tǒng)可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐。爐管材質(zhì)采用高純氧化鋁,*高可在1650℃的高溫工作。為了匹配通...
1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：50000
1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐三個(gè)溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨(dú)立控溫，通過調(diào)節(jié)各個(gè)溫區(qū)的溫度...
1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量流量計(jì)高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：50000
1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量流量計(jì)高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進(jìn)行PID控溫，可編輯30段升降...
高真空CVD系統(tǒng) 參考價(jià)：102800
1200℃雙溫區(qū)三路氣體高真空CVD系統(tǒng)，真空度可達(dá)6.67x10-6Pa），兩個(gè)溫區(qū)獨(dú)立控制加熱，實(shí)驗(yàn)操作更加方便。超高溫加熱元件，額定工作溫度可達(dá)1150℃...
1600三溫區(qū)CVD系統(tǒng)CY-O1600-60IIIC-3ZV10 參考價(jià)：112800
該三溫區(qū)1600 CVD系統(tǒng)主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護(hù)性燒結(jié)、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實(shí)驗(yàn)(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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