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9610A 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀

參考價(jià) 3200
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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代理銷售進(jìn)口:美國(guó)泰克示波器,美國(guó)福祿克儀表,美國(guó)安捷倫,日本菊水安規(guī)測(cè)試儀,日本橫河儀器,日本健伍(德仕),南韓金進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器,南韓興倉(cāng)示波器頻譜儀,中國(guó)臺(tái)灣益和線材測(cè)試儀,中國(guó)臺(tái)灣固緯,中國(guó)臺(tái)灣泰仕和泰瑪斯儀表,香港?,敽吞┛寺鼉x表。。。。。。

國(guó)產(chǎn)儀器:同惠數(shù)字電橋,惠高和金科元件測(cè)試儀多路溫度儀,艾德克斯電子負(fù)載,上海瀘光,中策掃頻儀,楊子儀器,盛普信號(hào)源,長(zhǎng)盛和藍(lán)科安規(guī)儀,安泰信示波器,精久和吉力變頻電源,遠(yuǎn)方儀器,美瑞克儀器,威博儀器,優(yōu)利德儀表,勝利儀表,兆信電源,富陽(yáng)電阻箱。。。。。。

本公司自有加工廠生產(chǎn):RCA紙帶耐磨測(cè)試儀,酒精耐磨測(cè)試機(jī),臺(tái)式電動(dòng)鉛筆硬度計(jì),橡皮耐磨測(cè)試機(jī),手機(jī)外殼折彎?rùn)C(jī),鹽霧試驗(yàn)機(jī)等。光學(xué)影像儀。。


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QQ:413905465

儀器儀表,實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)試備

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  一、概述           9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置,可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A,功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A,由于采 用脈沖電流測(cè)試法,即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞,更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)*性的測(cè)試(配對(duì));儀器*可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量;儀器還是一臺(tái)性 能十分*的電子元器件耐壓測(cè)試裝置,其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。           二、主要技術(shù)性能              1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。              2、IDSS可分三擋選擇: 1mA、250uA、25uA 。              3、柵極開啟電壓VGS(th) 測(cè)量范圍: 0—10V。 精度:≤5% 。              4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm:不小于1—50 A連續(xù)可調(diào), 精度:≤10 % 。          5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍:1—100 。         三、主要測(cè)試功能              1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。              2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。              3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下*性的測(cè)試,可用于配對(duì)。              4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試:(見下面介紹)。          5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。              6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。        四、測(cè)試盒與測(cè)試線              1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。          2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。   測(cè)試實(shí)例  

型號(hào)   擊穿電壓 Vdss 開啟電壓 Vgs(th) 跨導(dǎo)S Gfs Gfs 測(cè)試電流 標(biāo)稱電流 ID 標(biāo)稱功率 PD 封裝
IRF640 基本參數(shù) 200V 2-4V ≥6.8 11A 18A 150W TO-220
  實(shí)測(cè)參數(shù) 225V 3.0V 12 11A      
IRF1010 基本參數(shù) 60V 2-4V ≥69 50A 84A 200W TO-220
  實(shí)測(cè)參數(shù) 66V 3.2V 67 50A      
IRF3205 基本參數(shù) 55V 2-4V ≥44 62A 110A 200W TO-220
  實(shí)測(cè)參數(shù) 60V 2.9V 68 60A      
FQP70N08 基本參數(shù) 80V 2-4V 41 35A 70A 155W TO-220
  實(shí)測(cè)參數(shù) 86V 3.2V 46 35A      
75NF75 基本參數(shù) 75V 2-4V 20 40A 80A 300W TO-220
  實(shí)測(cè)參數(shù) 81V 3.6V 52 40A      
IRFP064 基本參數(shù) 55V 2-4V ≥42 59A 110A 200W TO-3P
  實(shí)測(cè)參數(shù) 67V 2.5V 57 60A      
2SK1120 基本參數(shù) 1000V 2.5-5V 4 4A 8A 150W TO-3P
  實(shí)測(cè)參數(shù) 1086V 2.3V 5 4A      
G160N60 基本參數(shù) 600V 3.5-6.5V * 80A 160A 250W TO-247
  實(shí)測(cè)參數(shù) 626V 3.9V 35 60A      
H40T120 基本參數(shù) 1200V 5-6.5V 21 40A 75A 270W TO-247
  實(shí)測(cè)參數(shù) 1390V 5.7V 20 40A      
60N170D 基本參數(shù) 1700V 3.5-7.5V     60A 200W TO-247
  實(shí)測(cè)參數(shù) 1798V 4.8V 30 60A  

 

                           MOS管測(cè)試盒

 



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