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DECTRIS EIGER2 R CdTe光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

2025-06-25

產(chǎn)      地:
瑞士
所在地區(qū):
北京北京市
有效期還剩 337舉報(bào)該信息

DECTRIS EIGER2 R CdTe光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器


1、產(chǎn)品特點(diǎn):    

     EIGER2 R CdTe 1M X 射線探測(cè)器將混合像素光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的新發(fā)展和碲化鎘感光像素的高量子效率集合在一起。對(duì)于使用高能量 X 射線源或需要雙閾值設(shè)置時(shí), EIGER2 R CdTe 1M 是的選擇。

    DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使他們具有高計(jì)數(shù)率能力,可以更好地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室X射線源 所能達(dá)到的高強(qiáng)度。DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)的技術(shù)使 EIGER2 R CdTe 1M 探測(cè)器具有的高計(jì) 數(shù)率能力,可以更快速地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室 X 射線光源所能達(dá)到的高強(qiáng)度。EIGER2 R CdTe 1M 探測(cè)器具有兩個(gè)能 量閾值,所以與上一代探測(cè)器相比,它在環(huán)境背景下?lián)碛懈偷陌惦娏骱捅尘霸胍簟_@大大提高了弱信號(hào)和長(zhǎng) 時(shí)間曝光的信噪比,使得它在更短的測(cè)量時(shí)間下就能獲得更好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。單光子計(jì)數(shù)與計(jì)數(shù)器連續(xù)讀/寫技術(shù) 相結(jié)合,克服了傳統(tǒng)積分探測(cè)器容易飽和以及動(dòng)態(tài)范圍有限的問(wèn)題。此外,感光像素直接將X射線轉(zhuǎn)化為電信號(hào) 配合小到 75μm 的像素尺寸使得探測(cè)器具有更高的空間和角度分辨率。


2、核心優(yōu)勢(shì):

     – 高的量子效率、更短的測(cè)試時(shí)間和更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)

      – 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使得計(jì)數(shù)率大幅度提高

      – 雙能閾值,可用于低背景和高背景的抑制

      – 無(wú)讀出噪音和暗電流,確保了好的信噪比

      – 計(jì)數(shù)器具有同時(shí)讀/寫功能,確保了高動(dòng)態(tài)范圍和無(wú)飽和的圖像


3、應(yīng)用領(lǐng)域:

      - 大分子晶體學(xué)(MX);

      - 化學(xué)結(jié)晶學(xué);

      - 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/WAXS);

      - μCT;

      - 其它;


DECTRIS EIGER2 R CdTe光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

4、技術(shù)參數(shù)

EIGER2 R CdTe

500K

1M

4M

探測(cè)器模塊數(shù)量

1

1 x 2

2 x 4

有效面積:寬x高 [mm2]

77.1 x 38.4

77.1 x 79.7

155.1 X 162.2

像素大小 [μm2]

75 x 75

點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

1 pixel

能量閾值

2

能量范圍[KeV]

8-24.2

閾值范圍[KeV]

4-30

大計(jì)數(shù)率(cps/mm2

9.8×108

計(jì)數(shù)器深度(bit/threshold)

2×16

采集模式

同時(shí)讀/寫,死區(qū)時(shí)間為零

圖像位深度(bit)

32

可選真空兼容

Yes

冷卻方式

水冷

尺寸(WHD)[mm3]

114 x 92 x 242

114 x 133 x 242

235 x 237 x 372

重量 [kg]

3.7

3.9

15

EIGER2 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器




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