詳情介紹：

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，利用等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。

在聚合物、陶瓷等基體材料中加入石墨烯可以顯著提高材料的機(jī)械性能、熱性能等。三溫區(qū) PECVD 制備的石墨烯可以更好地控制其在基體材料中的分散性和界面結(jié)合強(qiáng)度。例如，在環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中，將 PECVD 制備的石墨烯均勻分散后，石墨烯與環(huán)氧樹(shù)脂之間能夠形成良好的界面相互作用，從而提高復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度、硬度和熱穩(wěn)定性，這種復(fù)合材料可用于航空航天、汽車制造等領(lǐng)域，用于制造高性能的結(jié)構(gòu)部件。

三溫區(qū)PECVD應(yīng)用范圍：

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場(chǎng)所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域

三溫區(qū)PECVD技術(shù)參數(shù):