電子工業(yè)氣體:
高純度硅烷氣體雜質(zhì)組份的檢測(cè)
一:應(yīng)用領(lǐng)域:
硅烷在大規(guī)模集成電路(LSI)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和半導(dǎo)體器件制造中,用于氣相外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相淀積等工藝(工序)。
1. 外延(生長(zhǎng))混合氣 在半導(dǎo)體工業(yè)中,在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法,生長(zhǎng)一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,氧化硅膜淀積,氮化硅膜淀積,太陽(yáng)能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。
2. 化學(xué)氣體淀積(CVD)用混合氣 CVD是利用揮發(fā)性化合物,通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法,即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類(lèi),使用的化學(xué)氣相淀積(CVD)氣體也不同。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來(lái)源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。