介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)特性  
Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH  
電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

介電體（又稱(chēng)電介質(zhì)）zui基本的物理性質(zhì)是它的介電性，對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義，而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一，探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料，對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)（又稱(chēng)電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質(zhì)極化能力越強(qiáng)，其介電常數(shù)就越大。測(cè)量介電常數(shù)的方法很多，常用的有比較法，替代法，電橋法，諧振法，Q表法，直流測(cè)量法和微波測(cè)量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍，因而要根據(jù)材料的性能，樣品的形狀和尺寸大小及所需測(cè)量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。

介電常數(shù)試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選 　　　　　 
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

電感：
 
線(xiàn)圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4             25mH
  8         400KHz     138       11.4          4.87mH
  7         400KHz    202       16               0.99mH
  6           1MHz     196       13               252μH
  5           2MHz     198       8.7             49.8μH
  4         4.5MHz    231       7                10μH 
  3          12MHz      193     6.9             2.49μH
  2          12MHz      229     6.4             0.508μH             
  1     25MHz，50MHz      233，211        0.9       0.125μH

 介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

標(biāo)簽：

介電常數(shù)測(cè)試儀

電壓擊穿試驗(yàn)儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀