Zeta納米電位儀通常是指同時(shí)具備納米粒度分析和Zeta電位測(cè)量功能的光散射類儀器,其核心用途是表征膠體、納米顆?;蛏锎蠓肿釉谌芤褐械牧椒植己捅砻骐姾桑╖eta電位),從而評(píng)估體系穩(wěn)定性和分散行為。
Zeta納米電位儀的測(cè)量精度取決于儀器型號(hào)和測(cè)量技術(shù),但主流設(shè)備在粒度和Zeta電位兩項(xiàng)指標(biāo)上均具備亞微米級(jí)甚至納米級(jí)的高精度表現(xiàn),具體如下:
粒度測(cè)量精度
典型精度:±1%(相對(duì)誤差)
高級(jí)型號(hào):通過多角度動(dòng)態(tài)光散射(MADLS)技術(shù),分辨率更高,重復(fù)性顯著提升
驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn):使用NIST可追溯膠乳標(biāo)準(zhǔn)品,準(zhǔn)確度可達(dá)±2%
Zeta電位測(cè)量精度
典型精度:±3%(相對(duì)誤差)
高靈敏度技術(shù):采用PALS(相位分析光散射)或M3-PALS技術(shù),靈敏度提升1000倍,適用于低遷移率或高鹽樣品
實(shí)測(cè)驗(yàn)證:以NISTSRM1980標(biāo)準(zhǔn)水性體系為例,Zeta電位測(cè)得值為2.53±0.12μm·cm/V·s,誤差小于5%
關(guān)鍵影響因素
溫控精度:±0.1°C,有效減少熱漂移誤差
最小樣品量:部分型號(hào)僅需20–50μL,降低稀釋誤差
電導(dǎo)率范圍:最高支持260mS/cm,適應(yīng)高鹽體系
如需進(jìn)行高精度Zeta電位測(cè)量,建議使用具備PALS或M3-PALS技術(shù)的型號(hào),并確保樣品分散均勻、濃度適中。
相關(guān)產(chǎn)品
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