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電學(xué)樣品桿除核心電學(xué)測(cè)量功能外，還具備以下功能：
一、多場(chǎng)耦合實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?br />
熱電耦合：在高溫環(huán)境下對(duì)樣品施加電場(chǎng)，同時(shí)保持透射電鏡(TEM)的原子級(jí)分辨率成像能力。例如，Lightning原位熱電樣品桿可在900℃高溫下施加>300kV/cm電場(chǎng)，用于研究高溫電化學(xué)催化反應(yīng)。
力電耦合：同步施加納米級(jí)力學(xué)載荷與電學(xué)信號(hào)，研究材料的力電協(xié)同行為。例如，PicoFemto原位力學(xué)-電學(xué)樣品桿可實(shí)現(xiàn)nN級(jí)力學(xué)載荷與電學(xué)信號(hào)的同步施加。
氣電耦合：在封閉氣體系統(tǒng)中研究氣相反應(yīng)過(guò)程，同時(shí)施加電學(xué)刺激。例如，Protochips Atmosphere原位氣體樣品桿可在0-1atm氣壓、1-1000℃溫度范圍內(nèi)研究催化劑與氣體的實(shí)時(shí)反應(yīng)。
光電耦合：通過(guò)光纖探針施加光場(chǎng)，結(jié)合電學(xué)測(cè)量研究材料的光電響應(yīng)。例如，部分電學(xué)樣品桿支持光場(chǎng)與電場(chǎng)的同步加載，用于研究光電轉(zhuǎn)換材料的性能。
二、動(dòng)態(tài)觀測(cè)與高分辨成像能力
原子級(jí)結(jié)構(gòu)演化觀測(cè)：在施加電學(xué)刺激的同時(shí)，動(dòng)態(tài)捕獲材料的晶體結(jié)構(gòu)變化。例如，觀察鋰離子電池電極材料在充放電過(guò)程中的相變過(guò)程。
化學(xué)組分與元素價(jià)態(tài)分析：結(jié)合能譜儀(EDS)或電子能量損失譜(EELS)，實(shí)時(shí)分析材料在電學(xué)刺激下的化學(xué)組分變化。例如，研究催化反應(yīng)中催化劑表面活性位點(diǎn)的動(dòng)態(tài)演變。
納米尺度電輸運(yùn)性能測(cè)試：在納米尺度下測(cè)量材料的電流-電壓(I-V)特性，揭示納米材料的電輸運(yùn)機(jī)制。例如，測(cè)量納米線、二維材料等低維材料的電導(dǎo)率。
三、高精度與低漂移特性
亞納米級(jí)定位精度：通過(guò)壓電陶瓷或微電機(jī)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)探針在三維空間的精細(xì)移動(dòng)，定位精度可達(dá)0.02nm(X/Y方向)和0.0025nm(Z方向)。
低漂移率設(shè)計(jì)：采用特殊材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保樣品桿在長(zhǎng)時(shí)間實(shí)驗(yàn)中的穩(wěn)定性。例如，部分樣品桿的漂移率低于0.1nm/min，滿(mǎn)足原子級(jí)成像需求。
高精度控溫：集成PID/Pulse/Manual三種控溫方式，控溫穩(wěn)定性?xún)?yōu)于±0.1℃，溫度范圍覆蓋室溫至1300℃。
四、兼容性與擴(kuò)展性
多品牌電鏡適配：支持適配Thermo Fisher、JEOL、Hitachi等品牌TEM，滿(mǎn)足不同實(shí)驗(yàn)室的需求。
模塊化設(shè)計(jì)：通過(guò)更換不同類(lèi)型的芯片(如加熱芯片、電學(xué)芯片、氣體芯片等)，實(shí)現(xiàn)功能的靈活擴(kuò)展。例如，PicoFemto系列樣品桿提供30余種電學(xué)芯片，覆蓋從基礎(chǔ)電導(dǎo)測(cè)量到復(fù)雜器件測(cè)試的需求。
真空轉(zhuǎn)移與低溫?cái)U(kuò)展：部分樣品桿支持真空轉(zhuǎn)移芯片或低溫芯片的拓展，用于研究材料在**條件下的性能。
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