一、高溫測(cè)試探針臺(tái)基本組成

• 主機(jī)平臺(tái)：承載所有部件的剛性基座，需抗震、防變形（高溫下基座變形會(huì)影響測(cè)試精度）。

• 溫控系統(tǒng)：

• 加熱臺(tái)：放置樣品的平臺(tái)，材質(zhì)多為耐高溫陶瓷（如 Al?O?）或金屬（如 Inconel 合金），內(nèi)置加熱絲或加熱膜，支持精準(zhǔn)控溫（精度通常 ±0.1~1℃）。

• 熱電偶 / 紅外測(cè)溫儀：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品表面溫度，反饋給溫控器實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。

• 溫控器：設(shè)置目標(biāo)溫度、升溫速率（通常 0.1~10℃/min 可調(diào)），具備超溫保護(hù)功能（防止樣品或設(shè)備損壞）。

• 探針系統(tǒng)：

• 探針臂：多軸（X/Y/Z/θ）可調(diào)的精密機(jī)械臂，材質(zhì)需耐高溫（避免高溫下變形），部分型號(hào)配備隔熱設(shè)計(jì)（防止探針臂受熱影響定位精度）。

• 探針：根據(jù)測(cè)試需求選擇（如鎢針、錸鎢針、藍(lán)寶石探針等），針尖直徑從微米級(jí)到亞微米級(jí)，需耐高溫、抗氧化（如高溫下使用鍍金或陶瓷涂層探針）。

• 探針座：固定探針，部分帶彈簧緩沖結(jié)構(gòu)（避免探針與樣品硬接觸導(dǎo)致?lián)p壞）。

• 真空 / 大氣系統(tǒng)：

• 真空吸附裝置：通過真空泵將樣品吸附在加熱臺(tái)上（防止高溫下樣品移位），真空度通常可達(dá) 10?3~10?1Pa。

• 氣氛控制模塊（可選）：部分設(shè)備可通入惰性氣體（如 N?、Ar）或反應(yīng)氣體，防止樣品高溫氧化。

• 光學(xué)觀察系統(tǒng)：

• 顯微鏡（光學(xué)或金相顯微鏡）：放大樣品表面（100~1000 倍），輔助探針精準(zhǔn)定位到測(cè)試點(diǎn)（如芯片的焊盤、材料的電極）。

• CCD 攝像頭：實(shí)時(shí)顯示觀察畫面，部分支持圖像存儲(chǔ)和標(biāo)注。

• 電學(xué)連接系統(tǒng)：探針通過同軸電纜連接到測(cè)試儀器（如萬用表、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、示波器等），傳輸電信號(hào)（電壓、電流、電阻等）。