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硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量方法

來源：北京中慧天誠科技有限公司 2025年06月17日 22:15

儀器配有兩種光源電極臺，一種波長為1.07μm，適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長為0.904～0.905μm，適合于測量切割或研磨太陽能硅片的相對壽命，與微波反射法測量條件相近，因此測量值也較接近。

該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測范圍，配有波長為1.07μm的紅外發(fā)光管外及0.904～0.905μm的紅外激光器，使晶體（研磨面）可測電阻率為0.3Ω·cm，壽命可測為0.25μs。

高頻少子壽命測試儀（測單晶用）是按照半導(dǎo)體設(shè)備和材料MF1535-0707及GB/T 26068的要求，采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量。

測量太陽電池級硅片、高阻單晶的測試要求，還可測量硅塊亦可測量硅片（硅片可放在托架上測量）。

儀器配備的數(shù)字存儲示波器內(nèi)置軟件可直接讀取壽命值。

規(guī)格參數(shù)：

測量型號：N型或P型單晶或鑄造多晶

測量范圍：0.25μS-10ms

電阻率下限：≥0.3Ω·cm

光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率：＞15次/S

脈寬范圍：≥10μs

紅外光源波長：1.06-1.08μm

脈沖電流：5A-16A

紅外光源短波長：0.904-0.905μm

脈沖電流：5A-16A

高頻源

頻率范圍：30MHz

輸出功率：＞1W

放大器、檢波器

頻率響應(yīng)：2Hz-2MHz

放大倍數(shù)：約30倍

光源電極臺：測量低阻樣片用；可測縱向放置的單晶、測量豎放單晶橫截面的壽命。

讀數(shù)方式：可選配測試軟件或數(shù)字示波器讀數(shù)

測試軟件：具有自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及測試點(diǎn)衰減波形，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測試儀(測單晶)

型號：KDKLT-100C

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