一、InGaAs光電探測(cè)器原理

是一種新型的半導(dǎo)體材料，帶隙能量約在0.7~1.7eV之間，適用于近紅外光范圍的探測(cè)。基于外部光照射后的物理效應(yīng)，將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出。當(dāng)外部光照射到探測(cè)器的PN結(jié)上時(shí)，光子將被吸收并轉(zhuǎn)化為電子-空穴對(duì)，電子和空穴將被分別吸引到PN結(jié)兩側(cè)，在外部電場(chǎng)的作用下形成電流輸出。

二、InGaAs光電探測(cè)器制備工藝

制備工藝包括外延生長(zhǎng)、芯片制備、器件封裝等環(huán)節(jié)。其中外延生長(zhǎng)采用分子束外延(MBE)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等技術(shù)，按照成分比例將In、Ga、As材料在襯底上進(jìn)行原子層沉積，生長(zhǎng)出InGaAs晶體外延層。芯片制備過(guò)程主要是將外延層進(jìn)行切割、退火、拋光等處理后得到單個(gè)InGaAs芯片。最后將芯片進(jìn)行封裝，連接電線(xiàn)等操作后即可得到完整的InGaAs光電探測(cè)器。

三、InGaAs光電探測(cè)器性能

具有高靈敏度、高速度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn)，能夠探測(cè)到0.95~1.7μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的信號(hào)。其響應(yīng)速度可達(dá)到GHz級(jí)別，讀出噪聲低于10nA/√Hz，線(xiàn)性動(dòng)態(tài)范圍高達(dá)100dB以上。對(duì)于大部分應(yīng)用場(chǎng)景而言，InGaAs光電探測(cè)器的量子效率已經(jīng)達(dá)到了70%以上，且隨著技術(shù)的不斷提升。

四、InGaAs光電探測(cè)器應(yīng)用

具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在通信、顯微鏡、醫(yī)學(xué)成像、衛(wèi)星遙感等方面都有著非常重要的地位。在通信領(lǐng)域，主要用于光通信中的光源檢測(cè)、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)測(cè)等方面;在顯微鏡、醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域，可以幫助科學(xué)家們通過(guò)可見(jiàn)光和近紅外光來(lái)對(duì)樣本進(jìn)行更加精確的探測(cè);在衛(wèi)星遙感領(lǐng)域，可以與其它器件組合使用，進(jìn)行大氣成分探測(cè)、地球表面覆蓋等方面的研究。

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