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高低溫真空探針臺可以對材料或器件進行電學特性測量、光電特性測量、參數(shù)測量、高阻測量、DC測量、RF測量和微波特性測量，廣泛應用于半導體工業(yè)（芯片、晶圓片、封裝器件）、MEMS、超導、電子學、物理學和材料學等領域。
高低溫真空探針臺，是一款為晶片、器件和材料（薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導材料、鐵電材料等）提供真空和高低溫測試條件下進行非破壞性的電學表征和測量平臺。
高低溫真空探針臺在不同測試環(huán)境、不同溫度條件下可對微結(jié)構(gòu)半導體器件、微電子器件及材料進行電學特性表征測試。
可進行真空環(huán)境下的高低溫測試（4.2K~500K），可升級加載磁場，低溫防輻射屏設計，樣品臺采用高純度無氧銅制作，溫度均勻性更好，溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復性的PT100或者標定過的硅二極管作為測溫裝置，支持光纖光譜特性測試，兼容高倍率金相顯微鏡，可微調(diào)移動，器件的高頻特性(支持高67GHz頻率)，探針熱沉設計，LD/LED/PD的光強/波長測試，自動流量控制，材料/器件的IV/CV特性測試等。
產(chǎn)品優(yōu)點：
防輻射屏和熱沉設計
降溫速度快，常溫降至 77k<25mins，提高測試效率
液氮自動控制系統(tǒng)，液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動共 同控制溫度
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