PECVD等離子體增強氣相沉積是利用氣象中發(fā)生的物理、化學過程,改變工件表面成分,在表面形成具有特殊性能的金屬或者化合物涂層的新技術。
PECVD等離子體增強氣相沉積的設備特點:
1、高真空系統(tǒng)由雙級旋片真空泵和分子泵組成;
2、可配合壓強控制儀控制氣體壓力,實現(xiàn)負壓的控制;
3、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計,流量顯示儀等組成,實現(xiàn)氣體的流量的測量和控制;
4、每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性;
5、采用KF快速法蘭密封,裝卸方便快捷;
6、管路采用卡套連接,不漏氣;
7、超溫、過壓時,自動切斷加熱電源及流量計進氣;
8、PECVD借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,更容易發(fā)生反應。
PECVD等離子體增強氣相沉積技術的基本要求:
使用CVD技術沉積目標產(chǎn)物時,其目標產(chǎn)物、原材料及反應類型的選擇通常要遵循以下3項原則:
?。?)原材料在較低溫度下應具有較高的蒸氣壓且易于揮發(fā)成蒸汽并具有很高的純度,簡而言之原材料揮發(fā)成氣態(tài)的溫度不宜過高。
?。?)通過反應類型和原材料的選擇盡量避免副產(chǎn)物的生成,若有副產(chǎn)物的存在,在反應溫度下副產(chǎn)物應易揮發(fā)為氣態(tài),這樣易于排出或分離。
?。?)盡量選擇沉積溫度低的反應沉積目標產(chǎn)物,因大多數(shù)基體材料無法承受CVD的高溫。
(4)反應過程盡量簡單易于控制。
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