由四探針探頭、直流恒流電源和測量儀表等組成。用規(guī)定的壓力將探頭上四根探針與被測樣品表面形成歐姆接觸，在其二根探針上通以電流。
其它以四探針法為基礎(chǔ)的六探針、交直流四探針電阻率、薄層電阻測試儀可參照使用。本標準不包括四探針探頭標準。
四探針測試儀面板上的文字符號和標志清楚無誤，符合有關(guān)標準規(guī)定。位移機構(gòu)的動作應平穩(wěn)，操作方便，噪聲小。
除下述術(shù)語外，本標準所采用的電工名詞術(shù)語、四探針探頭名詞術(shù)語分別按GB2900.1《電工名詞術(shù)語、基本名詞術(shù)語》和SJ/T10315《四探針探頭通用技術(shù)條件》的標準規(guī)定。
GB191 包裝儲運圖示標志；
使用直線形排列與正方形排列的四探針測試儀，電阻率的基本計算公式及公式的使用條件等見附錄A。
修正系數(shù)，當探針間距、被測樣品的幾何形狀與尺寸等滿足不了基本公式所要求的理想條件時，需要在基本公式中附加一些系數(shù)進行修正，這些系數(shù)稱為修正系數(shù)。
安全要求：電源輸入端與機殼間的絕緣電阻應大于500MΩ。電源進線應有保險器。電源輸入端與機殼間應能承受1500V（有效值）交流電壓歷時1分鐘，無擊穿與飛弧現(xiàn)象。
四探針測試儀的表面平整光滑，無劃痕、壓傷、變形、銹蝕現(xiàn)象，涂復層不得脫落。零部件的安裝應牢固無松動，有防松動措施，開關(guān)、旋鈕的調(diào)節(jié)應方便，操作應靈活。
具有空調(diào)的專用清潔室；室內(nèi)無強電磁場干擾，無強光直接照射，沒有明顯的振動和波動。電源要求：電壓：（220±10%）V；頻率：（50±1%）Hz；波形：正弦波。
GB6615 硅片電阻率的直排四探針測試方法；
技術(shù)要求：外觀結(jié)構(gòu)要求，四探針測試儀的外觀結(jié)構(gòu)應符合下列原則，布局合理、美觀大方、結(jié)構(gòu)緊湊、顯示清晰、操作方便、易于維修。
在另外兩探針上測量其電位差，利用通入的電流和測量的電位差等數(shù)據(jù)，以及相應公式經(jīng)過運算處理得到被測量的參數(shù)。
薄層電阻 R 材料內(nèi)平行于電流方向的電勢梯度除以電流密度與材料厚度的乘積，當厚度趨近于零時，其值為薄層電阻。
JJG508 四探針電阻率測試儀檢定規(guī)程；
各修正系數(shù)的定義、計算公式、使用條件等見附錄A。直流四探針電阻率測試儀，用來測試材料電阻率、薄層電阻和電阻的探針測試裝置。
GB11073 硅片徑向電阻率變化的測試方法；
探頭外觀要求應符合SJ/T10315標準的規(guī)定。使用環(huán)境要求，大氣壓：（86~106）kPa；溫度：（23±5）℃；相對濕度：不大于65%；
SJ1889 電子測量儀器可靠性試驗方案；
本標準規(guī)定了直流四探針電阻率測試儀（以下簡稱四探針測試儀）的主要技術(shù)性能、測試方法、檢測規(guī)則、包裝、運輸、貯存要求等。

SJ/T10315 四探針探頭通用技術(shù)條件；
形式上為薄層電阻率除以材料厚度，單位為歐姆/方塊（Ω/□）。使用直線形排列和正方形排列的四探針測試儀，薄層電阻R的基本計算公式及公式的使用條件等見附錄A。
本標準適用于電子和冶金等行業(yè)生產(chǎn)與科研中測量半導體、金屬薄層等的電阻率、薄層電阻和電阻的直流四探針測試儀。
SJT 10314-1992 直流四探針電阻率測試儀通用技術(shù)條件
電阻率  材料內(nèi)平行于電流方向的電勢梯度與電流密度之比，又稱體電阻率，單位為歐姆·厘米（Ω·cm）。
GB2900.1 電工名詞術(shù)語，基本名詞術(shù)語；