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通過(guò)掃描電鏡觀察加速電壓高低引起的像質(zhì)差異
一般情況下，使用低加速電壓，能夠更好地觀察表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)。使用高加速電壓，電子束在樣品中的擴(kuò)散區(qū)域增大，從樣品內(nèi)部產(chǎn)生的不必要的信號(hào)（如背散射電子）會(huì)掩蓋樣品表面的微結(jié)構(gòu)。特別是在觀察密度低的物質(zhì)時(shí)，以低加速電壓為好。
圖1 入射電子的擴(kuò)展（根據(jù)Duncumb和Shields的理論） 圖2 加速電壓的效果
（a）30kV （b）5kV
圖4 樣品：噴金粒子，放大倍數(shù):×50,000，如圖所示使用30kV的電壓，圖像的清晰度和分辨率高。
（a）30kV （b）5kV
圖5 樣品：濾紙，放大倍數(shù):×900，如圖所示使用5kV的電壓，入射電子的擴(kuò)散區(qū)域較淺、樣品表面的結(jié)構(gòu)顯露得清楚。
（a）30kV （b）8kV
（a）30kV （b）8kV
圖7 樣品：鋁合金（Zn MAP圖像），放大倍數(shù):×1500，如圖所示使用高加速電壓時(shí)由于入射電子的擴(kuò)散區(qū)域增深，導(dǎo)致元素分布不清楚。
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