西門子PLC模塊6ES7214-1HG40-0XB0參數(shù)詳細(xì)
西門子PLC模塊6ES7214-1HG40-0XB0參數(shù)詳細(xì)
控制邏輯的執(zhí)行
讀取輸入和寫入輸出
讀取輸入 數(shù)字量輸入: 每個掃描周期開始時,會讀取數(shù)字量輸入的電流值,然后將該值寫入到過 程映像輸入寄存器。 模擬量輸入:CPU 在正常掃描周期中不會讀取模擬量輸入值。而當(dāng)程序訪問模擬量輸入 時,將立即從設(shè)備中讀取模擬量值。 寫入輸出 數(shù)字量輸出:掃描周期結(jié)束時,CPU 將存儲在過程映像輸出寄存器的值寫入數(shù)字量輸 出。 模擬量輸出:CPU 在正常掃描周期中不會寫入模擬量輸出值。而當(dāng)程序訪問模擬量輸出 值時,將立即寫入模擬量輸出。
立即讀取或?qū)懭?I/O CPU 指令集提供立即讀取或?qū)懭胛锢?I/O 的指令。這些立即 I/O 指令可用來直接訪問實(shí) 際輸出或輸入點(diǎn),即使映像寄存器通常用作 I/O 訪問的源地址或目的地址。使用立即指令 來訪問輸入點(diǎn)時,不改變相應(yīng)過程映像輸入寄存器單元。使用立即指令來訪問輸出點(diǎn)時, 將同時更新相應(yīng)過程映像輸出寄存器單元。
說明 讀取模擬量輸入時,可立即讀取到相應(yīng)的值。向模擬量輸出寫入值時,會立即更新該輸出。
6ES72881CR200AA1 | S7-200 SMART,CPU CR20s,經(jīng)濟(jì)型 CPU 模塊,繼電器輸出,220 V AC或110 DC 供電,12 輸入/8 輸出 |
6ES72881CR300AA1 | S7-200 SMART,CPU CR30s,經(jīng)濟(jì)型 CPU 模塊,繼電器輸出,220 V AC或110 DC 供電,18 輸入/12 輸出 |
6ES72881CR400AA1 | S7-200 SMART,CPU CR40s,經(jīng)濟(jì)型 CPU 模塊,繼電器輸出,220 V AC或110 DC 供電,24 輸入/16輸出 |
6ES72881CR600AA1 | S7-200 SMART,CPU CR60s,經(jīng)濟(jì)型 CPU 模塊,繼電器輸出,220 V AC或110 DC 供電,36 輸入/24 輸出 |
6ES72881CR400AA0 | S7-200 SMART,CPU CR40,經(jīng)濟(jì)型 CPU 模塊,繼電器輸出,220 V AC 或110 DC供電,24 輸入/16 輸出 |
6ES72881CR600AA0 | S7-200 SMART,CPU CR60,經(jīng)濟(jì)型 CPU 模塊,繼電器輸出,220 V AC或110 DC 供電,36 輸入/24 輸出 |
在程序執(zhí)行期間,使用過程映像寄存器比直接訪問輸入或輸出點(diǎn)更有優(yōu)勢。使用映像寄存 器共有三個原因: ● 在掃描開始時對所有輸入進(jìn)行采樣可在掃描周期的程序執(zhí)行階段同步和凍結(jié)輸入值。 程序執(zhí)行完成后,使用映像寄存器中的值更新輸出。這樣會使系統(tǒng)更穩(wěn)定。 ● 程序訪問映像寄存器的速度比訪問 I/O 點(diǎn)的速度快得多,從而可以更快地執(zhí)行程序。 ● I/O 點(diǎn)是位實(shí)體,必須以位或字節(jié)的形式訪問,但可以采用位、字節(jié)、字或雙字的形 式訪問映像寄存器。因此,映像寄存器更為靈活。
執(zhí)行用戶程序 在掃描周期的執(zhí)行階段,CPU 執(zhí)行主程序,從第一條指令開始并繼續(xù)執(zhí)行到最后一個指 令。 在主程序或中斷例程的執(zhí)行過程中,使用立即 I/O 指令可立即訪問輸入和輸出。 如果在程序中使用子例程,則子例程作為程序的一部分進(jìn)行存儲。 主程序、另一個子例 程或中斷例程調(diào)用子例程時,執(zhí)行子例程。 從主程序調(diào)用時子例程的嵌套深度是 8 級, 從中斷例程調(diào)用時嵌套深度是 4 級。 如果在程序中使用中斷,則與中斷事件相關(guān)的中斷例程將作為程序的一部分進(jìn)行存儲。 在正常掃描周期中并不一定執(zhí)行中斷例程,而是當(dāng)發(fā)生中斷事件時才執(zhí)行中斷例程(可以 是掃描周期內(nèi)的任何時間)。 為 14 個實(shí)體中的每一個保留局部存儲器: 主程序、八個子例程嵌套級別(從主程序啟動 時)、一個中斷例程和四個子例程嵌套級別(從中斷程序啟動時)。 局部存儲器有一個 局部范圍,局部存儲器僅在相關(guān)程序?qū)嶓w內(nèi)可用,其它程序?qū)嶓w無法訪問。 有關(guān)局部存 儲器的詳細(xì)信息,請參見本章中的局部存儲區(qū): L。