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真空鍍膜儀的基本原理
閱讀：1174 發(fā)布時(shí)間：2023-2-28
真空鍍膜儀主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子槍加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
真空鍍膜儀主要用來在非導(dǎo)電材料表面蒸發(fā)或者濺射沉積納米導(dǎo)電薄膜，用來提高樣品的表面導(dǎo)電性能，同時(shí)由于厚度僅為幾個(gè)納米，可以很好保持樣品原始的表面形貌。
基本原理:
真空鍍膜過程簡(jiǎn)單來說就是電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。
真空鍍膜就是以磁場(chǎng)束縛而延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,改變電子的運(yùn)動(dòng)方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿,因?yàn)橐话慊c真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì).磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用(EXB drift)使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。