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青島芯笙微納電子科技有限...

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應(yīng)用案例3:真空鍍膜

閱讀:2112      發(fā)布時間:2021-1-26
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薄膜沉積技術(shù)多種多樣,如圖1所示,總體來說可以分為滲入法和沉積法。前者屬于高溫工藝,其工藝兼容性有限,通常作為半導(dǎo)體的前處理和結(jié)構(gòu)件的后處理手段;后者一般為常溫或者低溫沉積工藝,應(yīng)用廣泛。

 

 

1:典型的薄膜沉積工藝

 

基于青島芯笙微納電子科技有限公司MFC-C系列高精度質(zhì)量流量控制器,基于微機電技術(shù)進行制造,流道大、壓損小、抗污染能力強,且長期穩(wěn)定性好,非常適合薄膜沉積工藝中的氣相沉積、高溫擴散,以及真空鍍膜領(lǐng)域。

 

2:真空鍍膜設(shè)備

 

 

產(chǎn)品推薦:

   青島芯笙MFC-C系列質(zhì)量流量控制器(Mass Flow Controller)是一款智能化、高精度的氣體質(zhì)量流量控制器產(chǎn)品,該產(chǎn)品配備有進口電磁比例閥、316L 不銹鋼氣路座、高精度微機電流量芯片等,具有精度高、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等特點。在輸出方面,可選擇:4-20mA 和 1-5V 模擬信號,以及 RS485 等數(shù)字通信方式 此系列產(chǎn)品的量程從5SCCM到10SLM內(nèi)可選,典型精度為±1.0%F.S.,年漂移量≤1%FS。

 

 

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