產(chǎn)品分類 品牌分類

光催化及光敏材料測(cè)試設(shè)備

光催化專用太陽光模擬器高準(zhǔn)直紫外光源
鈣鈦礦LED/OLED測(cè)試設(shè)備

發(fā)光效率測(cè)量系統(tǒng) 光譜分析系統(tǒng) 光電性能測(cè)量系統(tǒng)
日本SAN-EI 太陽光模擬器

LED太陽光模擬器 AAA+級(jí)雙光太陽光模擬器 AAA太陽光模擬器 150W 太陽光模擬器聚光太陽光模擬器太陽能電池IV性能測(cè)試儀太陽能電池組件測(cè)試儀太陽能電池測(cè)試多通道太陽能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件太陽能電池穩(wěn)定性測(cè)試太陽能電池載流子測(cè)試光纖太陽光模擬器光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀全光譜太陽光模擬器太陽能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽光模擬器雙燈太陽光模擬器穩(wěn)態(tài)太陽光模擬器瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽能電池載流子測(cè)試設(shè)備載流子擴(kuò)散長度測(cè)試系統(tǒng)
薄膜性能測(cè)試設(shè)備

薄膜應(yīng)力測(cè)試儀薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng) 薄膜生長速率測(cè)試儀薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀電池電極應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng) 薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng) 原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng) kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀 kSA 400 RHEED分析系統(tǒng) 反射高能電子衍射儀 RHEED 應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)
共聚焦顯微鏡

電化學(xué)反應(yīng)共聚焦系統(tǒng) 三維光學(xué)共聚焦顯微鏡三維表面輪廓儀
激光光束質(zhì)量分析儀

激光質(zhì)量分析儀 UV光束分析儀 Shack-Hartmann波前傳感器 EUV/XUV波前傳感器波前曲率傳感器光熱弱吸收測(cè)量儀高功率激光材料測(cè)試儀大光斑激光光束分析儀高功率激光光束分析儀激光光束分析儀
納米材料制備設(shè)備

石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）噴霧熱解成膜系統(tǒng) 碳納米管CVD制備系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 卷對(duì)卷涂布系統(tǒng) 涂布機(jī)
微納米加工設(shè)備

桌面型激光直寫系統(tǒng) 臺(tái)式無掩膜光刻系統(tǒng) 納米壓印系統(tǒng)
介電/壓電材料測(cè)試設(shè)備

電卡效應(yīng)測(cè)試儀高溫介電測(cè)試系統(tǒng) 熱釋電測(cè)試儀熱刺激電流測(cè)試儀精密壓電系數(shù)測(cè)試儀高分子壓電系數(shù)測(cè)試儀高場寬頻譜介電測(cè)量系統(tǒng) 低溫寬頻介電測(cè)量系統(tǒng) 電滯回線及高壓介電擊穿強(qiáng)度測(cè)試系統(tǒng) 高壓漏電流及熱釋電測(cè)量系統(tǒng) 電容充放電測(cè)試儀
太陽能電池測(cè)試設(shè)備

瞬態(tài)光電壓測(cè)試瞬態(tài)光電流測(cè)試太陽能電池老化測(cè)試太陽能電池老化壽命測(cè)試儀鈣鈦礦太陽能電池測(cè)試儀太陽能電池單體測(cè)試儀太陽能電池測(cè)試夾具太陽能電池IV測(cè)試軟件
氙燈電源
高純度鈣鈦礦前驅(qū)體材料
其他相關(guān)設(shè)備

北卡黃勁松團(tuán)隊(duì)Nat. Energy: 雙面鈣鈦礦微型模塊設(shè)計(jì)優(yōu)化提高效率和穩(wěn)定性

閱讀：984 發(fā)布時(shí)間：2023/4/24

主要內(nèi)容

雙面鈣鈦礦太陽能模塊的效率和穩(wěn)定性仍然相對(duì)較低。在這篇文章中，北卡羅來納大學(xué)黃勁松團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種雙面微型模塊，其正面效率與不透明的單面微型模塊相當(dāng)，同時(shí)從反射光中獲得額外的能量。

團(tuán)隊(duì)在空穴傳輸層中添加疏水添加劑，以保護(hù)鈣鈦礦薄膜不受潮濕影響。將適當(dāng)尺寸和間距的二氧化硅納米顆粒集成到鈣鈦礦薄膜中，以彌補(bǔ)由于缺乏反射金屬電極而引起的吸收損失。小面積單結(jié)雙面鈣鈦礦電池在1sun太陽光照下的發(fā)電密度為26.4 mW/cm2，反射率為0.2。雙面微型模塊顯示出正面效率超過20%，雙面性為74.3%，反射率為0.2時(shí)的發(fā)電密度超過23 mW/cm2。且雙面微型模塊在60±5°C下1sun太陽光照下超過6000小時(shí)后，仍能保持97%的初始效率。