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FET（Power Mos）測(cè)試機(jī)和測(cè)量儀器簡介
閱讀：1157 發(fā)布時(shí)間：2024-3-21FET（Power Mos）測(cè)試機(jī)和測(cè)量儀器簡介
| 我公司專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備和測(cè)量儀器的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。 發(fā)布本公司生產(chǎn)的測(cè)試儀，包括場(chǎng)效應(yīng)管L負(fù)載測(cè)試儀、場(chǎng)效應(yīng)管、晶體管熱阻測(cè)量儀等。 規(guī)格可以根據(jù)產(chǎn)品樣品進(jìn)行更改，并且我們可以根據(jù)測(cè)量條件滿足各種要求，例如升高或降低電壓或電流。 |
 EF-5202面板 |  EF-5202面板背面 |
l 負(fù)載測(cè)試設(shè)備（MOS FET）
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| 該裝置是對(duì)樣品施加安全操作區(qū)（ASO）內(nèi)的高電壓和大電流以檢查樣品是否會(huì)被破壞的測(cè)試裝置。 將L（電感）連接到樣品（DUT）的漏極作為負(fù)載，并控制輸入柵極電壓來 切換DUT。由于DUT的切換，L負(fù)載兩端會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，根據(jù)此時(shí)產(chǎn)生的電壓和電流來測(cè)試DUT的耐受能力。 |
測(cè)量規(guī)格
| VDS電源 | VG1電源 | VG2電源 | |
|---|---|---|---|
| 設(shè)定電壓范圍 | 0.0V~50.0V | 0.0V~+30.0V | 0.0V~-30.0V |
| 設(shè)置分辨率 | 1.0V | 0.1V | 0.1V |
| 輸出電流 | 40A以上 | +100mA以上 | -100mA以上 |
| 設(shè)定精度 | ±(1%+0.5A)以內(nèi) | ±(1%+0.1A)以內(nèi) | ±(1%+0.1A)以內(nèi) |
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現(xiàn)成產(chǎn)品概要
| 場(chǎng)效應(yīng)管-901 | |
|---|---|
| 大功率負(fù)載測(cè)試設(shè)備500V-100A | |
| 場(chǎng)效應(yīng)管-902 | |
| 小功率L負(fù)載測(cè)試設(shè)備200V-30A FET/晶體管組合型 | |
| 場(chǎng)效應(yīng)管-9205 | |
| 可以用ROM編程 | |
| EF-5002 | |
| 硬 L 和軟 L 測(cè)試可使用同一端子進(jìn)行。 可進(jìn)行 100V-60A 多路復(fù)用器操作（2CH）。 | |