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想知道外延層厚度就要先知道外延層指的是什么

閱讀：924 發(fā)布時(shí)間：2022-9-19

　　什么是外延層厚度？所謂外延層是指在集成電路制造工藝中，生長(zhǎng)沉積在晶圓襯底上的那一部分。

　　在某些情況下，需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結(jié)構(gòu)(單晶)的硅表面，還要保持對(duì)雜質(zhì)類型和濃度的控制。

　　這要通過(guò)在硅表面淀積一個(gè)外延層來(lái)達(dá)到。外延(epitaxial)是由兩個(gè)希臘詞組成的，epi意思是"在上面"，taxis意思是"排列"。

　　在硅外延中，硅基片作為籽晶在硅片上面生長(zhǎng)一薄層硅。新的外延層會(huì)復(fù)制硅片的晶體結(jié)構(gòu)。由于襯底硅片是單晶，外延層也是單晶。

　　而且，外延層可以是n型也可以是p型，這并不依賴于原始硅片的摻雜類型。例如，在p型硅片上外延一層電學(xué)活性雜質(zhì)濃度比襯底還要低的P型硅是可以的。

　　硅外延發(fā)展的起因是為了提高雙極器件和集成電路的性能。外延可以在重?fù)诫s的襯底上生長(zhǎng)一層輕摻雜的外延層。這在優(yōu)化pn結(jié)的擊穿電壓的同時(shí)降低了集電極電阻，在適中的電流強(qiáng)度下提高了器件的速度。

　　外延在CMOS集成電路中變得重要起來(lái)，因?yàn)殡S著器件尺寸不斷縮小，它將閂鎖效應(yīng)降到低。外延層通常是沒(méi)有玷污的(比如沒(méi)有氧顆粒，它不是真正的CZ法生長(zhǎng)的硅) 。

　　外延層的厚度可以不同，用于高速數(shù)字電路的典型厚度是0.5到5微米，用于硅功率器件的典型厚度是50到100微米。

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