光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)及分類

光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

分辨率（resolution）：是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的zui小尺寸。一般用關(guān)鍵尺寸來（CD，Critical Dimension）衡量分辨率。

對比度（Contrast）：指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。

敏感度（Sensitivity）：光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的zui小能量值（或zui小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米mJ/cm2。

粘滯性/黏度 （Viscosity）：衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。光刻膠中的溶劑揮發(fā)會使粘滯性增加。

粘附性（Adherence）：是指光刻膠與晶圓之間的粘著強度。

抗蝕性（Anti-etching）：光刻膠黏膜必須保持它的粘附性，并在后續(xù)的濕刻和干刻中保護襯體表面，這種性質(zhì)被稱為抗蝕性。

表面張力（Surface Tension）：液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間的吸引力。   

光刻膠的分類

1.根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類

正膠（Positive Photo Resist）：曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

負膠（Negative Photo Resist）：反之。

2.  根據(jù)光刻膠能形成圖形的zui小光刻尺寸來分：

傳統(tǒng)光刻膠（正膠和負膠）

      適用于紫外光（UV），I線365nm、H線405nm和G線436nm，關(guān)鍵尺寸在0.35um及其以上。

化學(xué)放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）

      適用于深紫外光（DUV），KrF 準分子激光248nm和 ArF準分子激光193nm。