BEHLKE貝克多功能高壓開(kāi)關(guān)

Behlke 產(chǎn)品組C2 - 具有可變導(dǎo)通時(shí)間和高di / dt的MOSFET開(kāi)關(guān)
1）HTS 61-40，具有高di / dt的MOSFET開(kāi)關(guān)。可變導(dǎo)通時(shí)間從300 ns到無(wú)限。6 kVDC，400 A pk。上升時(shí)間<10 ns @Ip（大值）

2）HTS 101-20，MOSFET開(kāi)關(guān)具有高di / dt?？勺儗?dǎo)通時(shí)間從300 ns到無(wú)限。10 kVDC，200 A pk。上升時(shí)間<12 ns @Ip（大值）

3）HTS 311-130-B，溝道FET技術(shù)中具有高di / dt的MOSFET開(kāi)關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間300 ns - ∞。31 kVDC，1300 A pk。上升時(shí)間<20 ns @Ip（大值）。獨(dú)立控制單元。  

Behlke 產(chǎn)品組C3 - MOSFET，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容

1）HTS 901-10-LC2，低電容MOSFET開(kāi)關(guān)，采用高壓瞬態(tài)LC2技術(shù)。該開(kāi)關(guān)旨在滿(mǎn)足非?？量痰墓I(yè)要求。隔離電壓> 150 kV      （可選高達(dá)300 kV）。內(nèi)置控制單元（可更換）。90 kVDC，100 A.導(dǎo)通電阻<40歐姆。開(kāi)啟上升時(shí)間<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但帶有選件SEP-C（獨(dú)立控制單元）和選件DLC（直接液體冷卻）。

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開(kāi)關(guān)，帶選件TH（管狀外殼）和選件DLC（直接液體冷卻）。100 kVDC，200 A pk。，上升時(shí)間<50 ns，大值 功耗30千瓦    

注意：與具有非常有限的dv / dt和di / dt能力的經(jīng)典盤(pán)式晶閘管開(kāi)關(guān)不同，快速的Behlke晶閘管開(kāi)關(guān)模塊由大量較小的晶閘管芯片（類(lèi)型取決于多達(dá)1000個(gè)單晶閘管）制成，并聯(lián)和串聯(lián)連接，使極限dv / dt和di / dt有效地分裂為單晶閘管的非關(guān)鍵值。每個(gè)晶閘管都由其高度同步和隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器發(fā)射。這使得非常短的柵極布線(xiàn)成為可能，并且避免了經(jīng)典晶閘管開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)中已知的危險(xiǎn)熱點(diǎn)。Behlke晶閘管開(kāi)關(guān)可以安全地以高物理可能的di / dt和dv / dt速率以及盡可能高的峰值電流運(yùn)行，而不會(huì)出現(xiàn)任何可測(cè)量的預(yù)期壽命下降。Behlke晶閘管開(kāi)關(guān)是真正的柵極控制，不會(huì)從高壓負(fù)載電路汲取發(fā)射能量。

BEHLKE貝克多功能高壓開(kāi)關(guān)