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LED防爆燈封裝原材料--芯片的詳解

閱讀:740        發(fā)布時(shí)間:2019-9-12

LED防爆燈的封裝工藝有其自己的特點(diǎn)。對LED防爆燈封裝前首先要做的是控制原物料。因?yàn)樵S多場合需要戶外使用,環(huán)境條件往往比較惡劣,不是長期在高溫下工作就是 長期在低溫下工作,而且長期受雨水的腐蝕,如LED防爆燈的信賴度不是很好,很容易出現(xiàn)瞎點(diǎn)現(xiàn)象,所以注意對原物料品質(zhì)的控制顯得尤其重要。

  LED防爆燈芯片結(jié)構(gòu):

  LED防爆燈芯片是半導(dǎo)體發(fā)光器件LED防爆燈的核心部件,它主要由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。

  芯片按發(fā)光亮度分類可分為:

  一般亮度:R(紅色GAaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等;

  高亮度:VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaA/AS 660nm );

  超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。

  芯片按組成元素可分為:

  二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等;

  三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷):SR(較亮紅色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(亮紅色GaAlAs 660nm)等;

  四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。

  發(fā)光二極管芯片制作方法和材料的磊晶種類:

  1、LPE:液相磊晶法 GaP/GaP;

  2、VPE:氣相磊晶法 GaAsP/GaAs;

  3、MOVPE:有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN;

  4、SH:單異型結(jié)構(gòu) GaAlAs/GaAs;

  5、DH:雙異型結(jié)構(gòu) GaAlAs/GaAs;

  6、DDH:雙異型結(jié)構(gòu) GaAlAs/GaAlAs。

  不同LED防爆燈芯片,其結(jié)構(gòu)大同小異,有外延用的芯片基板( 藍(lán)寶石基板、碳化硅基板等) 和摻雜的外延半導(dǎo)體材料及透明金屬電極等構(gòu)成。

  LED防爆燈單電極芯片

 

  

  LED防爆燈晶粒種類簡介

 

  LED襯底材料的種類

  對于制作LED芯片來說,襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底,需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。三種襯底材料:藍(lán)寶石(Al2O3)、硅 (Si)、碳化硅(SiC)。

  一、藍(lán)寶石襯底

  藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn):1.生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好,2.穩(wěn)定性很好,能夠運(yùn)用在高溫生長過程中,3.機(jī)械強(qiáng)度高,易于處理和清洗。

  藍(lán)寶石襯底存在的問題:1.晶格失配和熱應(yīng)力失配,會(huì)在外延層中產(chǎn)生大量缺陷;2.藍(lán)寶石是一種絕緣體,在上表面制作兩個(gè)電極,造成了有效發(fā)光面積減 少;3.增加了光刻、蝕刻工藝過程,制作成本高。藍(lán)寶石的硬度非常高, 在自然材料中其硬度僅次于金剛石, 但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進(jìn)行減薄和切割(從400nm減到100nm左右)。添置完成減薄和切割工藝的設(shè)備又要增加一筆較大的投資。藍(lán)寶 石襯底導(dǎo)熱性能不是很好(在100℃約為25W/m·K) ,制作大功率LED往往采用倒裝技術(shù)(把藍(lán)寶石襯底剝離或減?。?。

  二、硅襯底

  硅是熱的良導(dǎo)體,所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善,從而延長了器件的壽命。硅襯底芯片電極采用兩種接觸方式: V接觸(垂直接觸) 、L接觸(水平接觸) 。

  三、碳化硅襯底

  碳化硅襯底(CREE公司專門采用SiC材料作為襯底)的LED芯片,電極是L型電極,電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好,有利于做成面積較大的大功率器件。

  優(yōu)點(diǎn):碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/m·K,要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。

  缺點(diǎn):碳化硅制造成本較高,實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。

  LED防爆燈除了以上三種常用的襯底材料之外,還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底,通常根據(jù)設(shè)計(jì)的需要選擇使用。

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