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無論是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是生產(chǎn)車間，都需要采用更的半導(dǎo)體測(cè)試方法。半導(dǎo)體測(cè)試是NI的戰(zhàn)略重點(diǎn)。我們正在擴(kuò)展我們的軟件和PXI功能，以幫助芯片商應(yīng)對(duì)他們面臨的挑戰(zhàn)，這一點(diǎn)通過NI的PXISMU可以*體現(xiàn)出來。"由于其高吞吐量、高性價(jià)比和占地面積小，NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能，它能更高的直流通道密度，使多站點(diǎn)應(yīng)用具有更高的并行性，以及在生產(chǎn)中實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的測(cè)量質(zhì)量。給出了4051的突發(fā)功率測(cè)量功能測(cè)量某一突發(fā)信號(hào)的測(cè)量結(jié)果。4051突發(fā)功率測(cè)量如果沒有用戶定義突發(fā)信號(hào)寬度，突發(fā)脈沖寬度可以這樣得到：在捕獲的數(shù)據(jù)中找出峰值，然后找 跡上個(gè)高于閾值的位置，即為脈沖的起始點(diǎn)，脈沖的終點(diǎn)為軌跡上低于閾值的個(gè)點(diǎn)，平均載波功率通常由脈沖寬度和閾值計(jì)算得到