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8800 ICP-MS/MS測定超純半導體級硫酸中的難分析元素
閱讀：323 發(fā)布時間：2018-12-22| 提 供 商 | 上海斯邁歐分析儀器有限公司 | 資料大小 | 549.3KB |
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近年來碰撞/反應池技術(shù) (CRC) 廣泛應用于四極桿 ICP-MS (ICP-QMS)，以消除 會對復雜基質(zhì)中的分析物造成質(zhì)譜干擾的多原子離子。利用 CRC，可以使半導 體級化學品中幾乎所有待測元素的背景等效濃度 (BEC) 降低至 ppt 或亞 ppt 水平。 但是，某些樣品基質(zhì)中的一些多原子物質(zhì)非常穩(wěn)定，或者原始濃度較高，可能無 法通過池技術(shù)*消除，因而仍會導致殘留質(zhì)譜干擾問題。
例如，硫基質(zhì)會導致 ICP 中 SO+ 和 SN+ 的濃度比較高，這兩種離子都會干擾鈦的測定。多原子物質(zhì) SO 和 SN 的電離能 (IP) 分別是 10.2 eV 和 8.9 eV，因此它們在 ICP 中比 S (IP 10.36 eV) 更容易電離。