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 納米 SiO2 材料的應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)展引發(fā)了對(duì)其環(huán)境和健康 危害性的關(guān)注，這種需求促生了用于 SiO2 納米材料直接測(cè)定 和表征的新方法的開(kāi)發(fā)，雖然 SP-ICP-MS 技術(shù)已經(jīng)確認(rèn)是可 用于納米顆粒物濃度和粒徑的直接表征方法，但是由于 Si 元 素在質(zhì)譜測(cè)定中會(huì)面臨的強(qiáng)質(zhì)譜重疊干擾，傳統(tǒng)單級(jí)質(zhì)譜存在 定量難度，本文利用 Agilent 8800 ICP-MS/MS 串聯(lián)質(zhì)譜的強(qiáng) 干擾消除能力，實(shí)現(xiàn)了 Si 元素的無(wú)干擾測(cè)定，從而完成了使 用 SP-ICP-MS/MS 對(duì) SiO2 納米材料的直接表征。 由于 CO+ & N2 + 對(duì)于 Si 元素造成的質(zhì)譜重疊干擾，傳統(tǒng) ICPMS 對(duì)于微量 Si 元素的定量效果欠佳，所以實(shí)現(xiàn)納米 SiO2 表 征的前提是提升 Si 元素的定量效果，本文作者借助 ICP-MS/ MS 串聯(lián)質(zhì)譜在 Si 元素干擾消除上的能力提升，對(duì)比測(cè)試了四 種碰撞反應(yīng)池氣體（H2，O2，NH3，CH3F）的干擾消除效果， 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了利用 SP-ICP-MS/MS 直接表征 89-400nm 粒徑范 圍內(nèi)的納米 SiO2 材料 5 。

 

 本文作者在摸索 ICP-MS/MS 模式測(cè)定 Si 的工作條件時(shí)，針 對(duì) H2，O2，NH3， CH3F 四種消干擾池氣體分別進(jìn)行了二級(jí)質(zhì) 譜掃描，即一級(jí)質(zhì)譜選定 Si 元素（Q1=28amu），二級(jí)質(zhì)譜在 2-100amu 質(zhì)譜范圍內(nèi)進(jìn)行質(zhì)量掃描，分別獲取四種氣體工作 模式下的產(chǎn)物離子質(zhì)譜圖，通過(guò)譜圖分析來(lái)確認(rèn)這些池氣體在 實(shí)際作用過(guò)程中的產(chǎn)物離子，辨別不同池氣體在 CO+ & N2 + 干 擾離子去除時(shí)的產(chǎn)物離子差異，以便選擇適合的工作氣體并 配合 on-mass 或 mass-shift 模式，進(jìn)行更加*的干擾消除， 獲取更好的 Si 元素檢出效果。