器件類型	靜電破壞電壓(V)	器件類型	靜電破壞電壓(V)
VMoS	30～1800	OP-AMP	190～2500
M0SFET	100～200	JEFT	140～1000
GaAsFET	100～300	SCL	680～1000
PROM	100	STTL	300～2500
CMoS	250～2000	DTL	380～7000
HMOS	50～500	肖特基二極管	300～3000
E／DMOS	200～1000	雙極型晶體管	380～7000
ECL	300～2500	石英壓電晶體	＜10000

從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在干燥的環(huán)境中人活動(dòng)所產(chǎn)生的靜電可達(dá)幾千伏到幾萬伏。

要想獲得某個(gè)元器件的所能能承受的靜電電壓要通過試驗(yàn)才能測得。按照國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，一般使用靜電放電敏感度測試儀：

電子元器件靜電敏感度的試驗(yàn)主要用ESS-6008/ESS-6002半導(dǎo)體靜電放電模擬試驗(yàn)器，而用電子元器件組裝成組件、整機(jī)的電子設(shè)備靜電試驗(yàn)則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗(yàn)器來做試驗(yàn)。

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電子元器件所能承受的靜電破壞的電壓是多少

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