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原位液體加熱加電樣品桿有哪些優(yōu)勢(shì)?

閱讀:2152      發(fā)布時(shí)間:2021-3-31
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  原位液體加熱加電樣品桿通過(guò)MEMS微加工工藝,在透射電鏡內(nèi)部搭建可視化NONA-LAB和兩電極超高頻控溫方式,加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域,升溫快、熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻,實(shí)現(xiàn)樣品的液氛環(huán)境皮米級(jí)高分辨成像和準(zhǔn)確、均勻、安全控溫。

  針對(duì)芯片自身的差異性,全面升級(jí)的溫度控制系統(tǒng)可對(duì)芯片的每次升溫進(jìn)行自動(dòng)校正和模擬出*優(yōu)的升溫曲線,而非統(tǒng)計(jì)學(xué)的擬合曲線升溫,更好地反映熱場(chǎng)實(shí)情,準(zhǔn)確熱場(chǎng)模擬及*的芯片設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)視窗區(qū)的樣品無(wú)漂移升溫加熱,可在升溫過(guò)程中實(shí)時(shí)觀測(cè)成像,無(wú)需通過(guò)移動(dòng)電子束跟蹤或移動(dòng)樣品桿進(jìn)行樣品的熱漂移補(bǔ)償校正。中心位置的樣品始終保持在中軸線上,可保證傾轉(zhuǎn)過(guò)程樣品偏移量最小化。三電極電學(xué)模塊,可在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)液體樣品的電化學(xué)反應(yīng)/加熱過(guò)程的實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)高分辨晶格成像。經(jīng)過(guò)模擬校驗(yàn)的電極設(shè)計(jì)具有電場(chǎng)分布均勻,電位穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),并且芯片池內(nèi)的保護(hù)性涂層保證了電學(xué)測(cè)量的低噪音和準(zhǔn)確性,結(jié)合三電極體系設(shè)計(jì)(工作電極、參比電極、輔助電極),使得原位電化學(xué)實(shí)驗(yàn)的電極電位穩(wěn)定性好。

  加熱功能可應(yīng)用于:納米催化劑合成、溫致反應(yīng)過(guò)程、溶劑過(guò)程、活性生物大分子作用過(guò)程液相成像、蛋白質(zhì)自組裝及構(gòu)象變化過(guò)程成像、細(xì)胞中的藥物輸運(yùn)。

  電化學(xué)功能應(yīng)用于:鋰離子電池材料,超級(jí)電容器材料等領(lǐng)域研究。

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