油溶性Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品,為無鎘量子點(diǎn),平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)580nm~600nm任一波長(zhǎng)不同...油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射750±20nm) 參考價(jià):面議
油溶性CuInS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS為核心,ZnS為殼層,為無鎘量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避...油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射700±20nm) 參考價(jià):面議
油溶性CuInS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS為核心,ZnS為殼層,為無鎘量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避...油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射650±20nm) 參考價(jià):面議
油溶性CuInS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS為核心,ZnS為殼層,為無鎘量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避...油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射610±20nm) 參考價(jià):面議
油溶性CuInS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS為核心,ZnS為殼層,為無鎘量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避...油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射570±20nm) 參考價(jià):面議
油溶性CuInS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS為核心,ZnS為殼層,為無鎘量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避...油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射530±20nm) 參考價(jià):面議
油溶性CuInS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS為核心,ZnS為殼層,為無鎘量子點(diǎn),表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射1550±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品,是以PbS為核,CdS為殼層,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射1450±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品,是以PbS為核,CdS為殼層,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射1350±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品,是以PbS為核,CdS為殼層,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射1250±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品,是以PbS為核,CdS為殼層,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射1150±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品,是以PbS為核,CdS為殼層,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射850±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品,是以PbS為核,CdS為殼層,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射1550±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射1450±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射1350±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射1250±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射1150±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射1050±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)(發(fā)射950±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射950±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性PbS量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由疏水配體包覆,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)800nm~1600nm任一波長(zhǎng)不...油溶性PbS量子點(diǎn) (發(fā)射850±50nm) 參考價(jià):面議
油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)