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DM-QR2被測(cè)（四端）電阻箱技術(shù)指標(biāo)
閱讀：721 發(fā)布時(shí)間：2020-2-19DM-QR2被測(cè)(四端)電阻箱技術(shù)指標(biāo)
大學(xué)實(shí)驗(yàn)室自備試樣有種種困難，F(xiàn)M-QR2 被測(cè)元件箱為此提供人性化幫助。
DM-QR2 被測(cè)元件箱性能指標(biāo)：
型號(hào) | 屬性 | 明檔/肓測(cè)檔 | 范圍 | 賦值方式 | 其它 |
DM-QR1 | 二端中阻 | 16;5 | 20Ω～5.6MΩ | 國(guó)標(biāo)E6 | 圖前左1 |
DM-QR2 | 四端低阻 | 9;3 | 1Ω～10Ω | 國(guó)標(biāo)E6 | 圖前左2 |
DM-QL2 | 空心自感 | 8;3 | 10～470mH | 國(guó)標(biāo)E6 | 圖后左1（有變Q開(kāi)關(guān)） |
DM-QC2 | 薄膜電容 | 8;3 | 0.0047～2.2μF | 國(guó)標(biāo)E6 | 圖后右1（有變tgδ開(kāi)關(guān)） |
尺度:Φ15×h16cm2 | 重量：0.5-1kg
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