亞微米位置分辨率傳感器。新設(shè)備在暴露于紫外線和/或極紫外輻射后可提供高度穩(wěn)定的響應(yīng)。它采用TO-8無窗口封裝，可大程度減少暴露于強烈的UV/EUV光子后二極管的響應(yīng)度變化。OD的有效面積為5 mm x 5 mm，非常適合光刻應(yīng)用以及需要使用200 nm以下波長的任何定位應(yīng)用。
連續(xù)位置檢測光電二極管設(shè)計用于位置檢測1 nm至400 nm波長的光。在13 nm處的響應(yīng)度通常為0.20 A/W；254 nm的響應(yīng)度通常為0.02 A/W。在工作條件下，暗電流為10（典型值）和50（max.）nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向擊穿電壓，min.50伏，電容為40（典型值）至60（max.）pF。操作和存儲溫度范圍從-10℃到40℃（環(huán)境溫度）和-20℃到80℃（在氮氣或真空條件下）。結(jié)溫為max.70℃，引線焊接溫度為0.080英寸，距外殼10秒鐘為260℃。
參數(shù)：
活動區(qū)域：25 mm2
響應(yīng)度R@13nm：0.20 A/W
響應(yīng)度R@254nm：0.02 A/W