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射頻/直流磁控濺射設備納米PVD-S10A的基本性能優(yōu)勢

2023-3-24  閱讀(1235)

射頻/直流磁控濺射設備納米PVD-S10A的基本性能優(yōu)勢

高性能射頻/直流磁控濺射設備。 雖然它很小,但它是一種滿足追求高性能的用戶的設備,不允許在薄膜質(zhì)量上妥協(xié),例如一般金屬薄膜,絕緣體和化合物。 它還支持多達 3 源陰極、多層連續(xù)薄膜和同步沉積(*僅限射頻和直流組合)的應用。 選項包括加熱器、旋轉(zhuǎn)和提升、磁性材料的陰極以及帶電容壓力計的高精度壓力控制。

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優(yōu)異的基本性能

  • 極限真空 5x10-5 帕斯卡

  • SUS304 高真空室

  • 快速真空到達(約1分鐘至10x3-10Pa)

  • 膜均勻性:±3%(絕緣膜),±5%(金屬膜)

高性能系統(tǒng)

  • 7“ 觸摸屏,用于集中管理所有操作、薄膜沉積控制和數(shù)據(jù)管理

  • 自動連續(xù)多層沉積控制

  • 同步薄膜沉積(*射頻-直流、直流-直流同步雙源沉積)

  • APC 控制(PID 自動壓力控制)

  • PLC自動排序(抽真空,排氣)操作

很多選擇

  • 電路板旋轉(zhuǎn),向上/向下仰角

  • PCB加熱加熱器500°C

  • MFC x 3 應變(Ar、O2、N2)反應濺射

  • 用于磁性材料的高強度磁鐵選項

  • 快速排氣(至少 6 分鐘)

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高精度Φ2英寸磁控管陰極(最多3個源)

  • 直流、射頻、脈沖直流

  • 易于更換目標

  • 傾斜角度

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多達 3 種工藝氣體系統(tǒng):還兼容反應飛濺

  • 通過 7“ 觸摸屏集中管理壓力和流量設置

  • 標準 Ar 1 系統(tǒng),可擴展至 N2 和 O2

  • 精密過程壓力控制選項

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控制軟件“智能"

  • 直觀的操作

  • 通過 7 英寸觸摸屏集中管理所有設置

  • USB 到 Windows PC、CSV 和日志數(shù)據(jù)輸出

  • 多達 1000 層、1000 個進程、50 個配方創(chuàng)建注冊




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