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1、使用溫度

硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以使用中注意盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。

2、表面負(fù)荷

表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。

表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）

實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快，SiC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SiC棒老化速度成正比，與SiC棒的壽命成反比。建議使用硅碳棒極限表面負(fù)荷密度的1/2-1/3數(shù)值的表面功率（W/ cm2）。請注意硅碳棒冷端記載的數(shù)值為空氣中1050℃時的電流、電壓，與實(shí)際使用不一定相符。

給硅碳棒加的電流量越大，硅碳棒的表面溫度越高。連續(xù)使用硅碳棒時，建議緩速增加電壓以維持SiC棒長壽命。

3、爐內(nèi)氣氛

在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。

4、窯爐運(yùn)行方式

硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時間使用使二氧化硅薄膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破壞二氧化硅薄膜，加速氧化。

5、接線方法

硅碳棒盡可能并聯(lián)。如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。三相接線時建議使用開放三角形接線。