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初級(jí)會(huì)員 | 第6年

021-20962769

SiC外延片測(cè)試方案

時(shí)間:2023/3/15閱讀:387
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      SiC由于其禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)低等特點(diǎn),在高頻、高功率、耐高溫的半導(dǎo)體功率器件和紫外探測(cè)器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,特別是在電動(dòng)汽車、電源、航天等領(lǐng)域備受歡迎。

       外延材料是實(shí)現(xiàn)器件制造的關(guān)鍵,主要技術(shù)指標(biāo)有外延層厚度、晶格布局,材料結(jié)構(gòu),形貌以及物理性質(zhì),表面粗糙度和摻雜濃度等。本文闡述了SiC外延表面常見(jiàn)的測(cè)試手段。

       本解決方案詳細(xì)闡述了如何檢測(cè)SiC外延層厚度、晶格布局,材料結(jié)構(gòu),形貌以及物理性質(zhì),表面粗糙度和摻雜濃度。如果需要查看完整的文章,請(qǐng)聯(lián)系我們。

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