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2016-11-15 閱讀(1374)
OMAL歐瑪爾軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的逆變電路的研究
逆變技術(shù)隨著自動(dòng)控制理論、電力電子技術(shù)、電子計(jì)算機(jī)、微電子學(xué)等的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)新的時(shí)代，其應(yīng)用也相應(yīng)地進(jìn)入了一個(gè)新的高潮。這主要表現(xiàn)在逆變器朝著高頻化方向發(fā)展，因?yàn)殡S著開(kāi)關(guān)頻率的提高，逆變器的輸出電流波形中的諧波成分大量減小，電流波形會(huì)更接近理想波形，但逆變器的高頻化必須解決開(kāi)關(guān)損耗的問(wèn)題。因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗隨開(kāi)關(guān)頻率的提高而急速增加，感性關(guān)斷電壓尖峰大，容性開(kāi)通電流尖峰大，電磁干擾嚴(yán)重等問(wèn)題日益突出，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)是解決這些問(wèn)題的重要手段。
OMAL歐瑪爾軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的逆變電路的研究 軟開(kāi)關(guān)的理論進(jìn)展非常迅速，軟開(kāi)關(guān)的控制模式更是五花八門(mén)。但軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在逆變技術(shù)中的應(yīng)用研究卻非常不夠，還面臨一些有待進(jìn)一步改善的問(wèn)題，針對(duì)這些問(wèn)題本文則著重研究了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在逆變器中應(yīng)用的總體技術(shù)方案。在此基礎(chǔ)上充分論證了采用輔助二極管極諧振軟開(kāi)關(guān)逆變電路（ADRPI）來(lái)構(gòu)造軟開(kāi)關(guān)逆變器的總體方案結(jié)構(gòu)。分析了該軟開(kāi)關(guān)逆變電路的工作原理和工作過(guò)程，特別是較深入地探討了ADRPI應(yīng)用中的一些主要問(wèn)題。在此基礎(chǔ)上本文重點(diǎn)分析了軟開(kāi)關(guān)的零電壓操作及其工程實(shí)現(xiàn)問(wèn)題，其中一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)是電路過(guò)零檢測(cè)技術(shù)。如果不能準(zhǔn)確地檢測(cè)出零電壓，則“軟開(kāi)關(guān)”就無(wú)從談起，因此在理論分析的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了專(zhuān)門(mén)的零電壓檢測(cè)電路。本文的另一個(gè)重要研究?jī)?nèi)容是對(duì)ADRPI軟開(kāi)關(guān)逆變器的死區(qū)問(wèn)題進(jìn)行了研究分析，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)中的死區(qū)問(wèn)題幾乎在所有地文獻(xiàn)中都未提及，而死區(qū)又是產(chǎn)生電流畸變地主要因素之一，因此論文對(duì)它進(jìn)行了探討和論證。在對(duì)上述軟開(kāi)關(guān)逆變器主電路及控制方法進(jìn)行理論分析的基礎(chǔ)上，完成了這種逆變電路的設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了系統(tǒng)仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
