二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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產(chǎn)品型號
品 牌ACS MATERIAL/美國
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時間：2024-06-04 08:33:32瀏覽次數(shù)：912次
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| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,綜合 |
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二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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